NMOS场效应管/PMOS场效应管防反保护解析

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场效应管

场效应管

NMOS场效应管通过D管脚和S管脚串接于电源和负载之间,电阻R1、R2为MOS管提供电压偏置,VR1用于限制VGS间电压,防止被击穿。正接时候,R1、R2提供VGS电压,MOS饱和导通。反接的时候MOS不能导通,所以起到防反接作用,利用MOS管的开关特性控制电路的导通和断开,从而防止电源反接给负载带来损坏。

PMOS场效应管防反保护如下图所示:

场效应管

PMOS场效应管通过D管脚和S管脚串接于电源和负载之间,电阻R1、R2为MOS管提供电压偏置,VR1用于限制VSG间电压,防止被击穿。正接时候,R1、R2提供VSG电压,MOS饱和导通。反接的时候MOS不能导通,所以起到防反接作用,利用MOS管的开关特性控制电路的导通和断开,从而防止电源反接给负载带来损坏。

由于场效应管的加工工艺导致NMOS管的导通电阻比PMOS的小,所以最好选用NMOS。

审核编辑:汤梓红

 

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