用于制造半导体晶体的脱气室和使用其的脱气工艺

引言

本文涉及一种用于制造半导体元件的滴气室及利用其的滴气工艺；晶片内侧加载的腔室，安装在舱内侧，包括通过加热晶片激活晶片上残存杂质的加热手段、通过将晶片上激活的杂质吸入真空以使晶片上激活的杂质排出外部的真空吸入部、以及通过向通过加热手段加热的舱提供氢气以去除晶片上金属氧化膜的氢气供给部。

因此，本发明除除气体工艺时存在于晶片上的水分等异物外，还去除晶片上多余的金属氧化膜，从而在包括铜种子沉积工艺在内的金属劈裂工艺之前，省略为去除金属氧化膜的等离子膜蚀刻等其他工艺，从而增大半导体元件的收率。在滴气工艺中，即使有leak引起的大气进入，也能防止金属氧化膜的形成，从而具有减少半导体元件不良率的效果。（江苏英思特半导体科技有限公司）

图1

半导体元件的滴气工艺

在用于制造半导体元件的滴气室方面，晶片内侧加载的腔室，安装在上述舱内侧；一种加热手段，通过加热所述晶片激活所述晶片上残存的杂质，一个真空抽吸部，用于将所述舱内部的气体抽吸至真空中，以使所述晶片上活化的杂质排出外部；包括通过向由上述加热手段加热的上述室提供氢气来去除上述晶片上的金属氧化膜的供氢部，所述舱，用于制造半导体元件的排气舱，其特征是，在位于所述晶片下部的晶片舞台上，形成将从所述氢气供应部供应的氢气分配供应到所述晶片的周围而供应的分配供应路。（江苏英思特半导体科技有限公司）

在制造半导体元件的滴气工艺方面，包括在滴气室加载晶片的步骤，一种用于制造半导体元件的气体工艺，该工艺包括通过在真空状态下加热所述气体室而将所述晶片中残存的异物排出外部的步骤，以及通过向所述加热的气体室提供氢气而去除所述晶片上的金属氧化膜的步骤。

图2是图示用于根据本发明的另一实施例制造半导体元件的滴气室的结构图；用于制造本<38>实施例所述半导体元件的滴气室与前一实施例一样，在室内的大海上置备用于支持通过出入口加载的晶片(W)的多个支撑销，同时在室内侧设置加热手；通过真空吸入管将室内部的气体吸入真空的真空吸入部和向室提供氢气的氢气供给部分别设置。根据温度传感器的温度，控制部通过开关阀的控制来控制供氢部，该开关阀使供氢管开关。（江苏英思特半导体科技有限公司）

图2 

江苏英思特半导体科技有限公司主要从事湿法制程设备，晶圆清洁设备，RCA清洗机，KOH腐殖清洗机等设备的设计、生产和维护。

审核编辑 黄宇