H掺杂Ga2O3的缺陷计算（准备计算PREPARE01）

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DASP (Defect and Dopant ab-initio Simulation Package)是一款半导体缺陷和杂质性质的第一性原理计算模拟软件包，该软件包能针对输入的半导体晶体结构，基于材料基因组数据库和第一性原理软件包，自动计算并输出半导体的热力学稳定性，缺陷和杂质形成能及离化能级，半导体样品中缺陷、杂质和载流子浓度及费米能级，关键缺陷和杂质诱导的光致发光谱、载流子辐射和非辐射俘获截面及少子寿命。

针对任一半导体，DASP软件可以计算给出如下性质：热力学稳定性、元素化学势空间的稳定范围、缺陷（含杂质，下同）形成能、缺陷转变能级、各生长条件下的费米能级、载流子和缺陷浓度、缺陷的光致发光谱、缺陷对载流子的俘获截面、辐射和非辐射复合速率等。

本期将给大家介绍DASP HfO2的本征缺陷计算 5.3-5.3.1.1 的内容。

5.3. H掺杂Ga2O3的缺陷计算

Ga2O3是一种透明导电氧化物，表现出天然的n型导电性和高光学透明度，在平板显示器、触摸控制面板和显示器、太阳能电池的顶表面电极和固态光发射器等技术中具有应用价值。

Ga2O3薄膜和晶体在无外掺杂的情况下就表现出n型导电性，其来源存在争议，本征点缺陷和外来杂质都是可能的诱因。

借助DASP软件，可以对各种潜在的点缺陷和杂质性质进行系统研究，探讨Ga2O3的点缺陷形成和掺杂机制，揭示其与导电性之间的关联。

5.3.1. 准备计算PREPARE

5.3.1.1. 准备POSCAR与dasp.in

从 Materials Project 数据库中找到Ga2O3的 POSCAR 文件，显示如下：

将其拖入晶体可视化软件，如图所示

Ga2O3的晶体结构

使用VASP优化其晶格常数，或修改其晶格常数从而匹配实验值。此步骤需用户手动完成。

在dasp.in中写入必要参数

接下来将对 dasp.in 中所有列出的参数进行说明。

 

 

审核编辑 ：李倩