这里介绍的电路是一种简单、快速响应的过流检测器,旨在保护低压应用。专用热插拔控制器由欠压引发较长的启动延迟,与专用热插拔控制器不同,该电路在输入电源升至150.2V以上后仅提供7μs的保护。此外,外部p沟道开关上的有限栅极电压可在上电期间提供浪涌电流限制措施。
概述
图1显示了锁存过流故障检测器的完整电路。通电后,比较器输出C外接近零伏。由Q2和Q3形成的同相缓冲器可确保Q1(一种非常低导通电阻、低阈值、p沟道功率MOSFET)的栅极得到充分增强。进入负载产生的电流由高边电流检测放大器测量,该放大器转换检流电阻R两端的小电压意义在 OUT 引脚上转换为以地为基准的输出电压。该电压与负载电流成比例,在锁存、同相比较器的输入端进一步缩放。
当负载电流超过R1和R2结处的阈值电压时,比较器改变状态,导致输出电压被R3拉高。当栅极-源极电压降至栅极门限以下时,p沟道MOSFET关断。同相缓冲器 Q2-Q3 可确保充放电电流充入和流出 Q1 栅极,从而实现快速开关。
图1.集成电流检测放大器、锁存比较器和基准构成快速响应、低电压、过流保护电路。
组件选择
控制器
MAX4373是用于快速响应、锁存、限流检测器电路的控制器,工作在+3.3V电源。MAX4373集成了产生这种电路所需的所有元件:高共模差分电压检测器、基准和带低电平有效复位的锁存比较器。从施加V开始,启动延迟通常为500μs抄送,通过比较器的传播延迟典型值为4μs。
检流电阻器
选择检测电阻值以确保最佳增益精度(典型值为1%至1.5%)时,额定电流下的压降应在75mV至100mV范围内,增益范围为+20V/V和+50V/V(MAX4373的T和F版本)。以下公式计算检测电阻值及其两端的功率:
输出的动态范围也是一个重要的考虑因素。将标称输出电压(对应于工作/检测电流)居中为电源电压的一半。请注意,最大 V外比 V 时的电源电压低 250mV抄送.因此,对于 V抄送= +3.3V,标称V外应约为 1.4V。本例中,增益为+4373V/V (T型)的MAX20适用于70mV检测电压。
对于本应用中15A的检测电流,R意义= 4.6mΩ,产生一个 70mV V意义,选择最接近的值 4.7mΩ。泰科-美捷特RL73H的容差为±1%(F后缀)。
阈值电流
设置电流检测放大器后,应设置比较器以提供适合禁用串联电源开关的开关输出电压。电阻分压器将电流放大器输出连接到比较器正输入。对于开关,比较器的正输入必须超过内部设定的600mV标称门限(580mV至618mV)。要计算R1和R2的值,请使用以下电压阈值公式:
在检流放大器的标称输出电压经R1和R2的电流应大于150nA,小于500μA。比较器输出吸收 1mA 电流,饱和电压为 600mV (最大值)。栅极上拉电阻R3由下式计算:
电源开关
外部p沟道MOSFET的关键选择规格是峰值电流、导通电阻和栅极电压,紧随其后的是封装。应选择导通电阻,使额定电流下的压降与电流检测电压大致相同。该值在检测电阻和MOSFET中产生相似的耗散水平。
Si7485DP MOSFET(来自硅氧烷)在 V 时的最大导通电阻为 9mΩ一般事务人员= -2.5V。选择这款 20V p 沟道器件是因为其在低输入电压下工作。最差情况下的稳态耗散由下式计算:
在 15A 负载电流和 9mΩ 导通电阻下,Si7485DP 的工作温度比环境温度高 40°C 至 50°C,因此根据最终应用需要额外的散热。
在本例中,电源开关的栅极电荷规格约为60nC。如果需要快速响应,该值超出了R3和低功耗比较器输出的驱动能力。因此,栅极驱动缓冲器是强制性的。如上所述,Q2和Q3构成互补的发射极-跟随器驱动器,为Q1栅极提供显著的双极性电流增益。晶体管在 500mA 至 1A 的中等集电极电流下具有良好的直流 β。合适的选择是Zetex FZT688B(npn)和FZT788B(pnp),采用SOT223外形封装。要计算门响应时间,请使用以下公式:
操作
公差累积
实际感测的电流值取决于由于以下原因而建立的容差:
检测电阻 | ±1% (TL3A) |
检测电压限值 | ±0.1 |
增益容差 | ±5.5%(最大值,包括增益和失调误差) |
比较器电阻容差 | ±1% (R1 & R2) |
比较器阈值容差 | ±3.3% |
忽略检测电压容差,总电流检测容差接近±10.8%。详细限值可以使用以下公式计算:
R0和R1使用容差±1.2%的电阻可以在一定程度上降低误差限值(约±1%),但最终应用可能不支持额外的成本。
转0f瞬态
对故障的快速响应和随后的电流中断是关键要求。然而,电源线分布式电感中剩余的能量会产生破坏性的电压尖峰。部分能量被负载电源中的分布电容吸收,但可能需要快速响应的过压箝位来保护MAX4373免受28V或更高瞬变的影响。
结果
电流探头监视输入端子的负载电流(Vin在图 1 中)。负载电流增加,直到达到阈值并触发电路。响应时间约为 2μs(图 2)。
图2.图1电路的测试结果显示,响应时间约为2μs。
审核编辑:郭婷
全部0条评论
快来发表一下你的评论吧 !