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概述MX2201B,内置高精度电压检测电路和延迟电路以及内置 MOSFET,是用于单节锂离子/锂聚合物可再充电电池的保护 IC。
本 IC 适合于对 1 节锂离子/锂聚合物可再充电电池的过充电、过放电和过电流进行保护。
2. 特点MX2201B 具备如下特点:
(1) 高精度电压检测电路 过充电检测电压 4.30V 精度±50mV 过充电释放电压 4.15V 精度±70mV 过放电检测电压 2.45V 精度±100mV 过放电释放电压 3.00V 精度±100mV
(2) 各延迟时间由内部电路设置(不需外接电容) 过充电检测延迟时间 典型值 100ms 过放电检测延迟时间 典型值 100ms 放电过流检测延迟时间 典型值 20ms
(3) 低耗电流 工作模式 典型值 3.0μA ,最大值 6.0μA(VDD=3.5V) 过放电模式 典型值 1.0μA ,最大值 1.5μA(VDD=2.0V)
(4) 允许向 0V 电池充电。
(5) 导通内阻常态 48mΩ, 3.5A 过流保护
(6) 封装: SOT23-5L应用 1 节锂离子可再充电电池组 1 节锂聚合物可再充电电池组 小风扇、TWS充电仓、移动电源
审核编辑 黄宇
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