特瑞仕开始提供功率半导体SiC肖特基势垒二极管850V/10A样品

特瑞仕半导体株式会社（日本东京都中央区 董事总经理：芝宫　孝司　以下简称“特瑞仕”）已经开始提供使用了SiC的850V/10A 肖特基势垒二极管、 XBSC11A108CS 的样品。该产品作为功率半导体产品新产品，有助于空调以及电动汽车充电的电源系统的低功率化和小型化。

特瑞仕半导体是专注于电源IC的模拟CMOS专业集团，Phenitec Semiconductor是特瑞仕半导体的子公司，此产品是由Phenitec Semiconductor开发的SiC SBD芯片搭载于多功能TO-220AC封装投放市场。

此产品在目标在2023年实现量产，以该产品为起点，计划逐步开发650V~1200V的产品阵容。

图 1. SiC-SBD TO-220AC「XBSC11A108CS」

製品名	封装	VRM(V)	IF(AV)(A)	VF(V) TYP
XBSC11A108CS	TO-220AC	850	10	1.5

*以上信息（包括产品价格/规格、服务详情等）截至发布之日为最新信息。如有更改，恕不另行通知。

编辑：黄飞