场效应晶体管的优势

场效应晶体管：简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。

它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

场效应管是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。

场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。

在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是既有多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双极型器件。

有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比三极管好。

场效应晶体管（FET）相对于双极型晶体管（BJT）具有以下优势：

高输入阻抗：FET的输入阻抗比BJT高得多，因为FET的输入电流非常小，几乎可以忽略不计。这使得FET在高阻抗电路中非常有用。

低噪声：由于FET的输入电流非常小，因此它们产生的噪声也很小。这使得FET在放大低电平信号时非常有用。

低功耗：FET的功耗比BJT低得多，因为它们不需要基极电流。这使得FET在需要长时间运行的低功耗应用中非常有用。

高速度：FET的响应速度比BJT快得多，因为它们没有PN结。这使得FET在高速开关应用中非常有用。

可制造性：FET可以使用与CMOS工艺相同的工艺制造，这使得它们非常适合集成电路的制造。

总之，FET在高阻抗、低噪声、低功耗、高速度和可制造性方面具有优势，因此在许多应用中都比BJT更适合。

场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。