光电晶体管的运作模式及规格参数

“光电晶体管是一种半导体器件，能够感应光水平并根据其接收的光水平来改变在发射极和集电极之间流动的电流。”

通常，晶体管对光敏感。 晶体管的这种特性用于光电晶体管中。 NPN型光电晶体管是其中的一种。

在此，在撞击基座的光电晶体管中，光会取代实际施加到基座上的电压，因此光电晶体管会根据光信号放大差异。 光电晶体管中可能有也可能没有基极端子。 如果存在，则基础区域允许其偏置光电晶体管的光冲击。

这种类型的晶体管通过曝光来控制。 就像控制BJT的光电二极管一样。

光电晶体管可以是任何一种类型，例如BJT或FET。

这些类型的晶体管通常用塑料材料覆盖，并且其中一部分保持开路或对光透明。

运作模式

在光电晶体管电路中，基本的工作模式包括有源和开关两种，其中常用的工作模式是开关型。它解释了对光的非线性响应;一旦没有光，就没有电流流入晶体管。一旦有光源，电流就开始供应。开关模式在ON/OFF系统中工作。主动模式也称为线性模式，其反应方式与光亮度成正比。

规格参数

光电晶体管的选择可以根据不同的参数和规格来完成，主要包括：

集电极电流（IC）

基极电流（IA）

峰值波长

集电极到发射极击穿电压（VCE）

集射击穿电压（VBRCEO）

发射极-集电极击穿电压（VBRECO）

暗电流（ID）

功耗（PD或Ptot）

上升时间（tR）。

下降时间（tF）