碳化硅肖特基二极管B2D60120H1性能优势

充电模块作为充电桩的核心部件，其核心功能的实现主要依托于功率半导体器件发挥整流、稳压开关、变频等作用，随着用户更加追求充电系统的小型化、高效化，功率器件作为充电桩的核心器件也面临着不断优化和升级。

碳化硅的RDS（ON）较低，因而开关损耗也较低，通常比硅低100倍。基于碳化硅的肖特基二极管具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性，可以在电力电子技术领域打破硅的极限，成为新能源及电力电子的首选器件。基本半导体自主研发的B2D60120H1碳化硅肖特基二极管具有导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低器件损耗，提升系统效率，更适合应用于高频电路，目前在新能源汽车电机控制器、车载电源、太阳能逆变器、充电桩UPS、PFC 电源等领域有广泛应用。

碳化硅肖特基二极管B2D60120H1性能优势：

• 具有极低的反向漏电流，反向重复峰值电压VRRM为1200 V；

• 出色的浪涌电流能力和低电容电荷；

• 连续正常电流 （TC=150°C）为60A；

• 基本没有开关损耗；

• 工作温度和存储温度-55°~175°；

• 提供TO-247-2封装；

基本半导体B2D60120H1碳化硅肖特基二极管带来的诸多优势，让充电桩结构更紧凑、效率和性能更高。它不仅能够让充电桩的电路更加轻量化，更有可能降低组件的成本。

编辑：黄飞