ZnGeP2的本征缺陷计算之准PREPARE

DASP (Defect and Dopant ab-initio Simulation Package)是一款半导体缺陷和杂质性质的第一性原理计算模拟软件包，该软件包能针对输入的半导体晶体结构，基于材料基因组数据库和第一性原理软件包，自动计算并输出半导体的热力学稳定性，缺陷和杂质形成能及离化能级，半导体样品中缺陷、杂质和载流子浓度及费米能级，关键缺陷和杂质诱导的光致发光谱、载流子辐射和非辐射俘获截面及少子寿命。

针对任一半导体，DASP软件可以计算给出如下性质：热力学稳定性、元素化学势空间的稳定范围、缺陷（含杂质，下同）形成能、缺陷转变能级、各生长条件下的费米能级、载流子和缺陷浓度、缺陷的光致发光谱、缺陷对载流子的俘获截面、辐射和非辐射复合速率等。

本期将给大家介绍DASP ZnGeP2的本征缺陷计算 5.4-5.4.1.1 的内容。

5.4. ZnGeP2的本征缺陷计算

ZnGeP2是一种非线性光学材料，但是其带隙内存在的较多光吸收峰限制了其应用，实验上认为这些吸收与点缺陷相关。因此，有必要对ZnGeP2的点缺陷性质开展理论计算，分析不同制备环境下其吸收峰的来源。

以下开始为使用DASP软件包计算ZnGeP2本征点缺陷的实例：

5.4.1. 准备计算PREPARE

5.4.1.1. 准备POSCAR与dasp.in

获得ZnGeP2材料的结构文件 POSCAR，使用VASP优化其晶格常数，或修改其晶格常数从而匹配实验值（此步骤由用户自行完成）。显示如下：

在晶体可视化软件中如图1所示。

ZnGeP2的晶体结构。

在dasp.in中写入必要参数

接下来将对dasp.in中所有列出的参数进行说明。

编辑：黄飞