NY8A053E是以EPROM作为记忆体的8位元微控制器

产品说明

NY8A053E是以EPROM作为记忆体的 8 位元微控制器，专为多IO产品的应用而设计，例如遥控器、风扇/灯光控制或是游乐器周边等等。採用CMOS製程并同时提供客户低成本、高性能等显着优势。NY8A053E核心建立在RISC精简指令集架构可以很容易地做编辑和控制，共有 55 条指令。除了少数指令需要 2 个时序，大多数指令都是 1 个时序即能完成，可以让使用者轻鬆地以程式控制完成不同的应用。因此非常适合各种中低记忆容量但又复杂的应用。在I/O的资源方面，NY8A053E有 12 根弹性的双向I/O脚，每个I/O脚都有单独的暂存器控制为输入或输出脚。而且每一个I/O脚位都有附加的程式控制功能如上拉或下拉电阻或开漏极(Open-Drain) 输出。此外针对红外线摇控的产品方面，NY8A053E内建了可选择频率的红外载波发射口。

NY8A053E有两组计时器，可用系统频率当作一般的计时的应用或者从外部讯号触发来计数。另外NY8A053E提供 4组 10 位元解析度的PWM输出或者蜂鸣器输出，可用来驱动马达、LED、或蜂鸣器等等。NY8A053E採用双时鐘机制，高速振盪或者低速振盪都可以分别选择内部RC振盪或外部Crystal输入。在双时鐘机制下，NY8A053E可选择多种工作模式如正常模式(Normal)、慢速模式(Slow mode)、待机模式(Standby mode) 与睡眠模式(Halt mode)可节省电力消耗延长电池寿命。并且微控制器在使用内部RC高速振盪时，低速振盪可以同时使用外部精準的Crystal计时。可以维持高速处理同时又能精準计算真实时间。

在省电的模式下如待机模式(Standby mode)与睡眠模式(Halt mode)中，有多种事件可以触发中断唤醒NY8A053E进入正常操作模式(Normal) 或 慢速模式(Slow mode) 来处理突发事件。

产品特点.

宽广的工作温度：

-40°C ~ 85°C。

1Kx14 bits EPROM。

64 bytes SRAM。

内建準确的低电压侦测电路(LVD)。14 阶 ( 2.2V ~ 4.15V)

内建準确的电压比较器(Voltage Comparator)。

12 根可分别单独控制输入输出方向的I/O脚(GPIO)、PA[3:0]、PB[7:0]。

PA[3:0]及PB[3:0]可选择输入时使用内建下拉电阻。

PB[7:0]可选择上拉电阻或开漏极输出(Open-Drain)。

PB[3]可选择当作输入或开漏极输出(Open-Drain)。

8 层程式堆栈(Stack)。

存取资料有直接或间接定址模式。

一组 8 位元上数计时器(Timer0)包含可程式化的频率预除线路

有需要详细资料或样品可+V:runzexin-18

NY8A053E的程序内存空间为1K字。因此，程序计数器(PC)是10位宽的，以解决程序内存的任何位置。程序内存的一些位置被保留作为中断入口。上电重置向量位于0x000处。软件中断向量位于0x001处。内部和外部的硬件中断向量位于0x008处。NY8A053E提供指令CALL，GOTOA，Calla，地址为程序空间的256个位置。NY8A053E提供GOTO指示地址程序空间的512位置。NY8A053E还提供了指令LCALL和LGOTO来处理程序空间的任何位置。当发生调用或中断时，将下一个ROM地址写入堆栈的顶部，当执行RET、retia或retie指令时，读取堆栈顶部的数据并加载到PC。NY8A053E程序ROM地址0x3FE~0x3FF是预留的空间，如果用户试图在这些地址中写代码，将会得到意外的错误函数。

审核编辑：汤梓红