英诺芯半导体IN3261G+IN1305M :33W氮化镓

IN3261G+IN1305M同步是目前市面上最简洁的33W PD充电器方案之一

IN3261G IN3262G为高性能多模式 PWM 反激式控制器。该产品方便用户以较少的外围元器件、较低的系统成本设计出高性能的交直流转换开关电源。

IN3261G 提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括逐周期过流保护、过载保护、软启动、芯片过温保护、 VDD 欠压锁定保护功能、 VDD 过压锁定保护功能。

IN3261G具有自动识别负载大小，自动调整工作模式的功能。在满载或重载条件下，芯片工作在固定 120KHz 频率。

当负载减轻，芯片工作频率降低，有效降低开关损耗。当负载处于极轻载或空载条件时，芯片处于间隔模式。

IN3261G内置智能抖频技术，不仅降低了系统在降频模式所产生的电磁干扰，同时还有效降低了输出纹波。芯片独特的工作模式使得音频能量最小化，无音频噪声。

IN3261G采用 ESOP-6封装，为需要超低待机功耗的高性价比反激式开关电源系统提供了一个很好的设计平台

审核编辑 黄宇