Nexperia | USB4 ESD 二极管件实现了保护和性能的出色平衡

基础半导体器件领域的专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出两款经优化的静电放电（ESD）保护二极管件，适用于高速数据线中的重定时器和信号中继器。PESD2V8Y1BSF 专为保护 USB 4 (Thunderbolt)接口而设计，而 PESD4V0Y1BCSF 可适用于 USB 4 以及 HDMI 2.1。这两款产品均使用 Nexperia（安世半导体）的成熟 TrEOS 技术，集低钳位、低电容和高稳健性优势于一身。

重定时器和信号中继器是设计高速 USB 4 接口常用的器件。它们需要电路板走线变更短，从而降低寄生电感，但也会意外地降低整体系统级 ESD 稳健性。PESD2V8Y1BSF 和 PESD4V0Y1BCSF 较低的超快传输线路脉冲（vfTLP）峰值钳位电压，甚至低于标准 I(V) TLP 曲线中无明显的触发电压的 USB 4 保护解决方案。找正品元器件，上唯样商城。这有助于补偿保护器件和重定时器之间减少的电感，从而提高整体系统级 ESD 稳健性。为达到ESD的预算损耗建议值，这两款器件均可提供超低插入损耗（10 GHz 下为 -0.29 dB）和回波损耗（10 GHz 下为 -20.6 dB）。与其他解决方案不同的是，电容不会随工作电压增加，可提供完整的 RF 性能直到反向截止电压。

相较于其他 ESD 保护二极管件，PESD2V8Y1BSF 和 PESD4V0Y1BCSF 可直接放置在所保护器件的连接器旁边，因此可提供更大的设计灵活性。这意味着交流耦合电容也会受到保护。此外，它将大部分线路电感置于 ESD 保护和被保护器件之间，以优化系统的 ESD 性能。

Nexperia高级产品经理 Stefan Seider 表示：

Nexperia通过提供尽可能降低 ESD 保护对总预算影响的器件，帮助设计工程师在预算有限的情况下，满足高速USB4数据线的插入损耗和回波损耗要求。这两款器件在优化系统级ESD稳健性和RF性能之间实现了出色的平衡。

为了向下兼容可通过 USB Type-C 连接的旧接口标准（如USB3.2），PESD2V8Y1BSF 设有 2.8 V 的反向截止电压 VRWM，而 PESD4V0Y1BCSF 的 VRWM 为 4 V，因此还可适用于 HDMI 2.1。两款器件均使用 TrEOS 技术，其 RF 性能在动作电压范围内均不会下降。除了 USB 4 和 HDMI 2.1 以外，两款器件还可用于保护 PCIe 和 DisplayPort 接口。

审核编辑 黄宇