GaN HEMT工艺全流程

GaN HEMT（高电子迁移率晶体管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半导体，具有低工作电阻和高抗损性，有望应用于大功率和高频电子设备。

GAN HEMT的工艺流程

	1. GaN外延层形成
	2. N+离子注入
	3. Isolate离子注入
	4. AlGaN Recess or 选择刻蚀 为了形成Gate的Recess构造，需要非常浅的加工。极低速率、选择加工、无损伤非常重要。
	5. SiN Gate 绝缘膜形成
	6. SiN Gate 绝缘膜加工 要求低损伤刻蚀。
	7. Gate电极形成&Lift off Gate电极的形成使用蒸镀的 Lift off工艺。
	8. S/D电极形成＆加工 Ti/Al以溅射成膜、通过刻蚀加工 形成电极。
	9. 支持基板贴合&研磨
	10. 背面Via刻蚀 为了连接电极，需要对背面的 Si/SiC进行Via加工。
	11. 种子金属层成膜 在电镀之前，通过溅射形成种子层。
	12. 电镀

　　
审核编辑：汤梓红