非对称非均匀的3dB定向耦合器

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描述

摘要

实现了一种基于非均匀非对称定向耦合器的新型宽带波长平坦3dB光耦合器。在1300-1600nm波长范围内,实现了3 dB± 0.3 dB的分束比。通过比较非对称耦合器与长绝热耦合器的性能,该器件在小16倍的器件长度下实现了类似的波长响应。两个耦合器组成一个MZI,得到了100 nm波长范围(1500-1600nm)内具有-10dB消光比的光开关。

设计

Hamed Nikbakht等人设计了一种由两个锥形波导组成的非对称非均匀定向耦合器3-dB耦合器,具有超宽带操作范围从1300到1600 nm,低制造灵敏度。整体器件尺寸为800µm,包括输入/输出s型弯曲波导,如图1所示。

光耦合器

图1 耦合器示意图(a)两臂无位移(b)两臂有位移

该耦合器其中一臂在传播方向上移动了100µm,与标准(未移动)耦合器相比,它产生了更大范围内的的波长不敏感的3-dB响应。图2(b)的结果 表明,随着锥度长度的减小,波长平整度降低L taper <为0.5 mm时,波长依赖性显著增加 。对于L taper > 0.5 mm,该耦合器仍然像一个半绝热的波长平坦度降低的耦合器一样工作。为了有一个紧凑的器件, 选择了Ltaper = 0.5 mm它足够短,不是完全绝热,因此可能有一个小的修改会导致波长不敏感的响应

光耦合器

图2 (a)长绝热耦合器(L taper = 8 mm)示意图。(b) 不同Ltaper值的BPM仿真结果。

实验结果

绝热耦合器的测量结果如图3(a).所示,如预期的那样,得到了一个波长平坦的响应;然而,taper 长度仍然不够,这可以从耦合器的振荡中看出使用Lshift = 0和Lshift = 100µm的耦合器的传输响应分别如图3(b)和3(c) 所示 。与长绝热耦合器相比,该器件在小16倍的器件长度下实现了类似的波长响应。

光耦合器

图3 测量了(a)绝热、(b)无位移和(c)移位耦合器的传输响应。

宽带光开关是光网络和波分复用系统的重要组成部分 。通过级联两个非均匀的3个dB耦合器,在其中一个臂上有一个相移部分(长度Lp和相位差∆ϕ),如图4(a).所示开关,形成了一个MZI型开关。当∆ϕ=0时,灯将停留在bar-port,这意味着开关处于“关闭”模式,而当∆ϕ=π时,灯将穿过cross-port,这意味着开关处于“打开”模式。利用 **热光效应来诱导MZI各臂之间的相位差** 。图4(b)显示了所制备的开关的实验结果。 **当电流值为16.8 mA,电压值为3V时,开关从“关”状态转到“开”状态** 。我们在-10dB的消光比下获得了100 nm带宽,这与目前报道的MZI型开关相似。开关长度为2.6 mm,包括耦合器长度为0.8mm,调相区长度Lp=1 mm。

光耦合器

图4 (a)基于位移耦合器的MZI型开关原理图。Lp是调相区的长度。(b)该开关的实验结果。当施加电压为V = 3 V时,光开光从端口P1切换到端口P2。

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