纳微半导体启动战略性制造环节投资

投资2000万美元，打造纳微自身碳化硅外延片产能

加利福尼亚州托伦斯，2023年5月30日讯：下一代功率半导体行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式宣布其一系列战略制造投资计划中的第一项，将提升旗下 GeneSiC 碳化硅(SiC) 功率半导体的总体产能把控，降低成本并提升营收能力。

首批次2000万美元的投资将用于公司总部所在地加利福尼亚州托伦斯，为其配备三台碳化硅外延材料生长设备。生产碳化硅功率器件的第一步，是将碳化硅外延层添加到未加工的碳化硅晶圆上。公司预计第一台爱思强(AIXTRON) G10-SiC外延反应炉将于2024年完全投入生产，可生产6英寸和8英寸晶圆。

纳微半导体认为，由新设施提供的外延生长能力是一项极其关键的工艺，可以支持多达2亿美元的年产值增长。同时，纳微预计将继续使用第三方供应商提供额外的碳化硅外延生长、晶圆制造和封装操作。

“我们非常自豪，如此重要的技术创新者纳微半导体，选择我们新型的G10-SiC以促进碳化硅在节能功率器件这一快速发展的市场中的应用。AIXTRON和纳微半导体作为推动氮化镓和碳化硅不断取代传统硅功率器件的坚定践行者和技术先驱，这一合作显得尤为重要。正是通过像我们这样高度创新的企业共同合作，才能实现这一重要转变。”

爱思强 （AIXTRON SE）

CEO兼董事长

Felix Grawert

“将高质量的碳化硅外延层添加到未经加工的碳化硅晶圆上是制造碳化硅器件之前的关键工艺步骤，通过将AIXTRON的内部外延生长能力添加到现有的外包流程中可以扩大产能，降低成品晶圆成本，提高质量并缩短生产周期。纳微与Aixtron的开发和制造业务合作包括持续的技术和共同研发支持。”

纳微半导体联合创始人

兼首席技术官/首席运营官

Dan Kinzer

纳微半导体投资其内部碳化硅外延生长能力，是纳微的数项举措之一，目标在于支持公司最近宣布的，预计未来有望达7.6亿美元价值的在研客户项目。在研客户项目价值是基于客户对符合资格项目的兴趣而估算出来的。尽管在研项目转化为订单或出货同时取决于除了现有产能之外的许多因素，但纳微预计，其碳化硅外延生长能力的提升，将在大多数预期计划情况下带来有利的投资回报。

纳微半导体近期完成了8千万美元的增发股票融资，公司计划将此次募集资金除了用作营运资金和一般经营用途，还将用于战略性制造环节投资。