晶体管的结构特点和伏安特性

　　今天为大家介绍晶体管由两个PN结构成，分为NPN型和PNP型两类，根据使用材料的不同，将晶体管分为NPN型锗管和NPN型硅管，PNP型锗管和PNP型硅管。

　　晶体管结构与分类

　　晶体管由两个PN结构成，分成三层，按照P型和N型排列的顺序不同，可分为NPN型和PNP型两类，结构示意图和电路符号如下图。

　　根据所使用的材料不同，晶体管又分为NPN型锗管和NPN型硅管，PNP型锗管和PNP型硅管。

　　

 

 

　　可知，两类晶体管都分成基区、发射区、集电区，分别引出的电极称为基极（B）、发射极（E）、集电极（C）。

　　基区和发射区之间的结称为发射结；基区和集电区之间的结称为集电结。NPN型和PNP型符号的区别是发射极的箭头方向不同。

　　晶体管内部结构特点：发射区杂质浓度最高，即多子浓度最高，体积较大；基区很薄且杂质浓度极低；集电区体积最大，杂质浓度较发射区低。这是晶体管具有电流放大作用的内部条件。