半导体激光器面向VCSEL的干法工艺流程解析

　　作为自动驾驶所需的LiDAR等3D传感技术的光源，半导体激光器的市场变得活跃起来。其中之一是具有小型化、节能等优点的VCSEL（Vertical Cavity Surface Emitting Laser），下面介绍面向VCSEL的干法工艺。

　　

　　VCSEL制造工艺

　　

　　1. 外延生长

　　在GaAs（砷化镓）衬底上，通过分子束外延生长由

　　多个周期的AlGaAs（砷化铝镓）/GaAs层堆叠在一起的

　　AlGaAs/GaAs系DBR（分布反射型Distributed

　　Bragg Reflector）。

　　

　　2. Patterning＆Mask形成

　　为了将外延层做成被称为 Mesa 的圆柱形，制作一个掩模图案。

　　

　　3. Mesa加工

　　用干法蚀刻进行Mesa加工。

　　

　　4. 氧化狭窄＆保护膜形成

　　活性层附近设计的特定AlGaAs层通过湿法氧化而氧化狭窄

　　（氧化狭窄层作为电流和光的封闭结构，

　　成为影响VCSEL特性的非常重要的层）。另外，沉积Mesa侧壁保护膜。

　　

　　5. 电极形成

　　n型、p型电极形成。

　　编辑：黄飞