CST电磁兼容性仿真—双脉冲3D仿真

EMC/EMI设计

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描述

概述

众所周知,达索系统的CST对于电磁兼容性仿真有着很好的精度和准确度。那么CST除了电磁兼容性仿真,SIPI仿真还能做哪些事呢?

CST电磁兼容性仿真2023年达索系统全球冠军计划成员。耐世特资深电子工程师,会定期分享一些使用CST电磁兼容性仿真的案例,以及心得和体会。

都说技多不压身,今天小编来介绍下使用CST进行双脉冲3D电路仿真,对于功率开关器件双脉冲试验是一个不得不做的测试试验。对于功率回路来说杂散电感越小越好,过大的杂散电感会导致Vds的电压尖峰过大,从而危害MOS管,所以PCB layout完成后可以使用CST仿真优化杂散电感

为了评估功率器件的动态参数,通常采取的测量方法是双脉冲测试。那什么是双脉冲测试呢?顾名思义,是通过两个脉冲,去控制器件的开关开关,然后测试在开关过程中的一些参数指标。

双脉冲的意义

考量开关管在实际电路中的实际表现,评估开关管固有参数是否满足设计需求,如反向恢复电流,电压关断尖峰,开通关断时间。

双脉冲的目的

(1)对比不同的开关管的参数,测量各项动态参数

(2)评估功率MOS驱动电阻的阻值是否合适

(3)功率MOS开关信号是否有不正常的震荡,电压尖峰是否超过耐压裕值

(4)计算回路杂散电感

(5)评估二极管的反向恢复行为和安全裕量

双脉冲的测试原理

双脉冲测试通常以半桥形式测试,所谓双脉冲就是上管持续关断,下管驱动信号给定两个脉冲从而测试下管的开关特性。如上图所示,上管两端并接一个电感,这里主要测试的就是下管的特性以及上管的反向二极管特性。

双脉冲测试的电路如图

MOS管

双脉冲测试的波形如下图

MOS管

(1)如图3在t0时刻,门极放出第一个脉冲,开关管饱和导通,电感电流线性上升,电流公式如下,t1时刻电流值最大,由时间t1决定电流大小。第一阶段如图所示

MOS管

(2)如图4在t1时刻,被测开关管关断,电感电流由上管二极管续流,电流波形如虚线所示,此电流一般不容易检测。第二阶段如图所示

MOS管

(3)如图5在t2时刻,第二个脉冲的上升沿到达,被测开关管再次导通,续流二极管进入反向恢复,反向恢复电流会穿过开关管,在电流探头上能捕捉到这个电流。第三阶段如图所示

MOS管

(4)如图6在t3时刻,开关管关断,此时电流较大由于母线杂散电感的存在,电压会出现尖峰,第四个阶段如图所示

MOS管

根据上面的分析,我们可以通过双脉冲测试测得二极管的反向恢复时间,开关管的上升时间和下降时间等等。还能测得杂散电感两端的电压,通过下面公式计算出回路中的杂散电感。从而去优化电路回路中的杂散电感。

MOS管

Us杂散电感两端的电压

Ls杂散电感感值

di/dt母线电流的变化率

双脉冲测试的仿真

言归正传,现在我们来看看双脉冲测试如何仿真。

第一步:在CST里面建立一个空心电感,最好跟实际模型一样,感值在3uH左右,如图

MOS管

仿真得到感值如图

MOS管

第二步:CST里面3D建模,把PCB导入,将上面的电感模型加在上管mos的两端,如图

MOS管

第三步建立DS电路模型,上管MOS驱动信号置低,下管MOS给一个90kHz的双脉冲驱动信号

MOS管

我们先看一下实测双脉冲波形,黄色通道为母线电流的波形

通过测试我们看第一个斜坡,最大电流158A,di等于158A,时间间隔11.5us左右,dt等于11.5us,绿色信号Vds下降沿的一个豁口电压Us可以直接读出来20V左右,这个就是杂散电感两端的电压,计算得到杂散电感为1.5uH

MOS管

再来看一下仿真的双脉冲波形图

MOS管

MOS管

dt = 11.77us di=154A Us = 21V

最后得出杂散电感为1.6uH

总结

(1)通过仿真和实测波形和数据对比,结果还是比较准确

(2)通过双脉冲仿真可以准确评估开关管的性能,参数,设计需求。

(3)在PCB gerber发给板厂之前我们可以通过仿真去优化PCB的寄生参数,从而达到高效,低成本,低风险的进行产品设计。

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