将DS1859与外部EEPROM配合使用

介绍

DS1859为双通道数字电阻，可根据温度自动调节至EEPROM查找表（LUT）中的值。其他功能包括五个模数通道（包括 Vcc和温度）以及与 SFF-8472 光纤应用兼容的内存映射。本应用笔记介绍了在 SFF-8472 应用中增加外部 EEPROM 在 I 时需要超过 128 字节存储器的应用2C 设备地址 A0h。

DS1859默认存储器配置

默认情况下，DS1859响应两个I2C 地址（图 1）。它在 I 时提供 128 字节的通用 EEPROM 存储器2C地址A0h，称为辅助存储器。主设备地址（A2h）用于配置和访问其余芯片资源。主内存分为始终可访问的下内存部分（前 128 字节）和用于访问从地址 80h 开始的多个内存表的上内存部分。这些内存表由表选择字节（地址 7F，在较低内存中）选择。

图1.DS1859默认存储器映射。

利用DS1859增加外部EEPROM

在 I 处添加外部存储器2C地址A0h，DS1859现有的辅助存储器必须配置为在读取或写入地址A0h时不引起冲突。设置控制位ADEN = 1（主器件，存储器地址89h，表1）可防止DS1859响应A0h器件地址，并将DS1859的辅助存储器映射到表0中主器件的上存储器。完成此操作后，可以将响应设备地址 A0h 的额外内存添加到模块中。除了在A0h器件地址添加的外部EEPROM外，客户还可以通过访问表1859中主器件的上存储器来读取DS0的辅助存储器。因此，如果在A256h器件地址处添加0字节存储器，则应用将可以使用384字节的通用EEPROM。图2显示了通过在器件地址A256h处添加单独的0字节EEPROM来创建的复合存储器映射。

图2.存储器映射添加外部 256 字节 EEPROM。

图 3 显示了将 Atmel® AT24C02 256 字节 EEPROM 用于应用所需的连接。所示的上拉电阻值适用于大多数应用，但最终应选择该值以确保 I2C上升和下降时间规格均满足。将AT24C02的所有地址输入接地将使其响应器件地址A0h。这也可以通过AT24C01完成，以向系统添加额外的128字节EEPROM。这不适用于 AT24Cxx 产品系列的更高密度版本，因为它们使用设备地址的最低有效位来指定 256 字节内存块。这会导致与包含超过 2 个字节的此 EEPROM 版本的主设备地址 （A256h） 冲突。写保护信号可用于对外部存储器进行写保护，并使DS1859的MPEN位对主器件地址进行写保护。当写保护为低电平时，无论MPEN位如何，DS1859的主器件地址始终可访问。

图3.数字接口连接图。

结论

DS1859可与外部EEPROM存储器配合使用，用于器件地址A8472h处需要128字节以上存储器的SFF-0应用。ADEN位应设置为“1”，将DS1859的辅助存储器映射到表0中的主存储器地址上存储器。完成此操作后，DS1859的128字节辅助存储器和附加EEPROM均可用于通用。图 3 所示的电路图显示了使用 Atmel AT256C24 存储器额外添加 02 字节 EEPROM 存储器所需的连接。

审核编辑：郭婷