宜普推出氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)EPC2012

 

　　宜普电源转换公司(www.epc-co.com)宣布推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)系列中的最新成员——EPC2012。EPC2012具有环保特性、无铅、无卤化物以及符合RoHS(有害物质限制)条例。

　　EPC2012 FET是一款面积为1.6平方毫米的200VDS器件，RDS(ON)最大值是100mΩ，栅极电压为5V。这种eGaN FET具有比第一代EPC1012 eGaN器件明显更高的性能优势。EPC2012的脉冲额定电流提高至15A(而EPC1012只有12A)，因此在较低栅极电压时，其性能得以全面增强，而且由于提高了QGD/QGS比率，EPC2012还具有优异的dv/dt抗干扰性能。

　　与具有相同导通电阻的先进硅功率MOSFET相比，EPC2012体积小很多，而开关性能却高出许多倍。受益于eGaN FET性能的应用包括高速DC/DC电源、负载点转换器、D类音频放大器、硬开关和高频电路。

　　“随着宜普氮化镓场效应晶体管系列产品的不断扩展，氮化镓场效应晶体管的性能标杆得以进一步提升。另外，这种新一代eGaN产品是业界首批不含铅及符合RoHS要求的器件。”共同创始人兼首席执行官Alex Lidow表示。