未来智能城市的动力引擎：润新微电子的650V GaN功率晶体管（FET）

润新微电子（Runxin Microelectronics）荣幸推出了最新一代的650V GaN功率晶体管（FET），该产品具备卓越的性能和广泛的应用领域。

产品特点：

易于使用：650V GaN功率晶体管与标准门极驱动器兼容，方便集成到现有系统中。

优秀的性能：具备出色的功率损耗特性，显著降低能量损失，提高系统效率。

无需自由轮二极管：由于650V GaN功率晶体管的特性，无需额外添加自由轮二极管，简化了系统设计。

低开关损耗：采用先进的GaN技术，650V GaN功率晶体管具有较低的开关损耗，提高了能源利用效率。

环保认证：产品符合RoHS指令要求，无卤素材料使用，对环境友好。

应用领域：

高效能电源供应器：650V GaN功率晶体管适用于工业、通信、电力等领域的高效能电源供应器，提供可靠的电源支持。

通信与数据中心：可广泛应用于通信设备、服务器和数据存储系统，为其提供高效能的能源转换。

汽车电子：可应用于电动汽车、混合动力汽车等汽车电子系统中，提供可靠的功率控制。

封装信息： 产品型号：RX65T125H518 封装类型：DFN8x8

电气特性（在Te=25°C时，除非另有规定）：

额定漏极电流（Continuous Drain Current @ Te=25°C）：125A

额定漏极电流（Continuous Drain Current @ Tc=100°C）：82A

脉冲漏极电流（Pulsed Drain Current @ Te=25°C，脉宽：10μs）：650A

阻塞电压（Drain-to-Source Voltage）：690V

开启温度（Qgating temperature）：-55°C至150°C

其他特性：

静态开启电压（Vgs）：±20V

最大功率耗散（Maximum Power Dissipation @ Te=25°C）：800W

工作温度范围（Operating Temperature Range）：-55°C至150°C

存储温度范围（Storage Temperature Range）：-55°C至150°C

润新微电子的650V GaN功率晶体管（FET）是未来智能电子系统中的创新产品。它的高性能和广泛应用领域使其成为先进技术的重要组成部分。

该650V GaN功率晶体管的主要特点之一是其与标准门极驱动器的兼容性。这意味着用户可以轻松将其集成到现有的电子系统中，无需进行复杂的改装或更换。这大大减少了产品应用的难度和成本，为用户提供了更高的灵活性。

650V GaN功率晶体管还具有卓越的性能，特别是在功率损耗方面。由于采用了GaN技术，它具有更低的开关损耗，可显著提高能源利用效率。这对于高效能电源供应器、通信和数据中心以及汽车电子等领域的应用至关重要。用户可以在这些领域中获得更高的效率和可靠性。

另一个重要的特点是650V GaN功率晶体管无需额外添加自由轮二极管。传统的功率晶体管在开关过程中需要自由轮二极管来处理电流的反向流动。然而，650V GaN功率晶体管的特性使其能够在开关过程中有效地处理反向电流，从而简化了系统设计。这样的设计优化不仅减少了电路的复杂性，还提高了系统的可靠性和效率。

在环保方面，润新微电子的650V GaN功率晶体管符合RoHS指令要求，并使用无卤素材料。这体现了润新微电子对环境友好的承诺，并对可持续发展做出了积极的贡献。

总结： 润新微电子的650V GaN功率晶体管（FET）是一款高性能、易于集成、环保节能的创新产品。它的广泛应用领域包括高效能电源供应器、通信和数据中心以及汽车电子等领域。这款产品的出现将为未来智能城市和可持续发展提供强大的支持。润新微电子将继续致力于研发创新产品，推动科技进步，为用户创造更美好的未来。

审核编辑 黄宇