飞仕得功率半导体动态参数测试系统 实验室动态特性分析仪ME300D-SE

ME300D-SE是Firstack总结12年IGBT/SiC MOSFET测试经验，并经历了ME100D，ME200D，ME300D三代产品迭代，最新研制推出的功率半导体动态参数测试系统，致力于让每一个电力电子领域企业、高校、研究机构都拥有一台“保姆”级双脉冲设备，为测试工程师们提供更方便、更高效、更高准确性的测试方案，帮助工程师更好的评估IGBT/SiC MOSFET等功率器件。

让我们一起来看看它拥有哪些黑科技。

一、功率数字化测试软件DPowerTest解决您的测试困扰


大家在做双脉冲测试时，可能会有以下几个困扰：
1.不同的测试项目、实验顺序、测试工况，测试流程多，任务重；
2. 测试数据丢失，无法查询分析历史测试数据及波形；
 

3. 测试标准不一致，引起测试结果偏差；

4. 实验异常时，无法判断是系统哪个模块失效；

5. 上下电，调整脉宽，卡点存图，测试繁琐，耗时长；

6. 想买台设备，但是已有示波器，不想重复购买；

7. 在示波器上手动卡点，计算开关过程的时间、尖峰、损耗等数据。
我们的DPowerTest是如何解决这些困扰的呢？一起来看看吧~



01 自定义测试流程
在测试流程界面，自由选择单脉冲、双脉冲等实验类型，实验顺序、试验次数任意调整；可进行单一工况测试，也可批量添加工况。测试流程可保存，修改，便于下次使用。


 

02 测试结果追溯
测试结果自动保存在数据库，支持检索、查询、上传服务器。软件界面上可对波形进行放大缩小，查看波形细节和卡点位置。

 

03 自定义测试标准

行业内通用测试IGBT的标准是IEC-60747-9，测试MOSFET的标准是IEC-60747-8，随着新材料、新拓扑、新封装的新型功率器件层出不穷，固化的测试标准不能完全包络复杂的应用场景，因此DPowerTest不仅可以按照IEC标准执行，还支持用户自定义标准。

 

04 设备模块化管理

硬件功能（示波器、高压直流电源、加热平台、低压直流程控电源、负载电感、信号发生器等）可实现模块化管理，比如，单独调试高压电源升压/下电、信号发生器发送不同脉宽的PWM、电感切换到不同的挡位、驱动板门极参数的调整等。在提供了手动测试的平台同时，还提高了设备子系统的利用率。

 

05 单工况测试时间小于20s
DPowerTest可在20s内完成一次双脉冲试验，高效来自于飞仕得自研的高压直流电源技术和软件算法。充电1200V只需要9s（电容2mF），软件对波形分析处理需要9s。



06 适配主流的国内外品牌示波器
在软件上，我们打通了多款主流示波器的通讯协议，用户在使用ME300D-SE时，可以更自由地选择示波器的品牌。打通协议后，可实现软件操控示波器完成通道设置和探头衰减倍数等设置，另外自动卡点计算波形。



二、智能硬件
01 MIRACLE PS 智能电源系统
闭环控制精准充放电，电压精度1%FS+3V，电源升压时间0-1200V时长8.5s@2mF，1200V降压时间5.5s@2mF。



02 MIRACLE CAL示波器探头相位校准装置
一键完成示波器及探头相位延时校准，减小测量误差，提升测量精度。

 

基于反向恢复时，由于杂散电感LS存在，VCE会有电压平台，根据公式Vt=VDC-Ls*(di/dt) 来拟合出一个Vt曲线，精准定位相位差时间。


03 MIRACLE GDU高性能SiC数字驱动器
CMTI≥100kV/µs；栅极电压精度0.1V，电源范围-15-25V软件自动可调，正极性(10-25V)可调，负极性(-15-0V)可调；门极驱动回路寄生电感＜3nH。


04 MIRACLE Fixture分立器件测试工装
门级电压可调：负压-15-0V，正压10-25V，精度0.1V
兼容封装：TO247-3，TO247-4，TO263封装类型
高温测试：室温至200℃寄生电感：＜10nH
电压等级：1200V  电流等级：5-450A
电压测试：支持差分探头和光隔离探头

 

 

	差分探头	光隔离探头
共模抑制比	低 测量上管电压存在共模噪声引起的跳变	高 可以精准测量上管电压
测试环路	较大 探头前端较长，寄生电感大；探头包围面积大，天线效应耦合磁场	最小 得益于高性能的连接件和附件
共模范围和衰减倍数	高共模范围和低衰减倍数不兼得。测量高压，则量化误差和系统噪声大	兼具高共模范围和低衰减倍数。测量高压也可以有很小的量化误差和系统噪声
带宽	低 无法测量频率较高的震荡(200MHz)	高 可以测量出高频震荡（1GHz）

 

电流测试：支持罗氏线圈和shunt电阻


 

 

	罗氏线圈	Shunt电阻
功率回路	非侵入式测量 不破坏功率回路，回路杂感较小	侵入式测量 破坏功率回路，引入额外回路杂感
是否隔离	隔离式测量 无共电压问题，安全	非隔离测量 存在共模电压问题，不当使用存在安全隐患
准确度	低 存在延时	高 延时较低
带宽	低，最高50MHz 无法测量频率较高的震荡	可高达2GHz 可以测量出高频电流震荡

 

 

三、系统规格


 

 

测试范围	电压20~1200V；电流5~4000A，短路电流12000A（max）
测试项目	单脉冲测试，双脉冲测试，短路测试
测试对象	IGBT，SiC  MOSFET
温度范围	室温~200℃
负载电感	10/20/50/100/200/500µH手动可调
尺寸	920*750*1500（单位：mm）
重量	170kg

 

 

 

指标	测试范围	指标	测试范围
tdon	1-10000ns	IC（actual）	5-4000A
tr	1-10000ns	VCE（actual）	20-1200V
tdoff	1-10000ns	IRM	5-8000A
tf	1-10000ns	VRM	20-2000V
ton	1-10000ns	-diF/dt	10–50000A/us
toff	1-10000ns	VGEmax	0-30V
trr	1-10000ns	di/dt(Diode)	10– 50000A/us
Eon	1-10000mJ	dv/dt(Diode)	10– 50000A/us
Eoff	1-10000mJ	tSC	1-100µs
Erec	1-10000mJ	ESC	0-100J
Etot	1-10000mJ	QG	10-1000000nC
VCEmax	20-2000V	ISC	10–12000A
di/dt(on)	10– 50000A/us	ɑstatic	0-100%
dv/dt(on)	10– 50000V/us	ɑon	0-100%
di/dt(off)	10– 50000A/us	ɑoff	0-100%
dv/dt(off)	10– 50000V/us	tDTmin	0-30µs

四、高性价比

ME300D-SE在提供高效率、高准确度、智能化的测试解决方案的同时，保留了极具诱惑力的价格。