逆变器的逆变原理和NMOS选型

描述

FCD----逆变器的逆变原理

引言:逆变器,inverter,即将直流电DC转转换为交流电AC的装置,小功率输出的可以由集成方案解决,功率稍大的都是采用分立方案,本节主要简述分立式逆变器的逆变原理,集成式同理。

1.逆变原理

如图5-1所示是逆变器的核心拓扑结构--->全桥逆变,由四个同规格NMOS(驱动更简易)组成。直流电压转换成交流电压,我们知道,电流的流向可以决定电压的方向,那么首先就需要以一定的频率不断改变电流流向,自然就会生成方向也不断改变的电压,这时交流电就产生了。

逆变器

图5-1:全桥逆变拓扑

2.逆变过程

如图5-2为Q1、Q4导通,Q2、Q3关断时的电流流向,对于中间Rload来说,设定此时的电流为正向电流。

逆变器

图5-2:全桥逆变器正向工作电流流向

如图5-3为Q2、Q3导通,Q1、Q4关断时的电流流向,对于中间Rload来说,设定此时的电流为反向电流。

逆变器

图5-3:全桥逆变器反向工作电流流向

在如图5-2和图5-3所示的不停的开关切换中,直流电就变成了交流电,但却是方波交流电,如图5-4所示。红色矩形电压波为正向电流方向时产生,蓝色矩形电压波为反向电流方向时产生,方波交流无法直接用来驱动负载,因为电压一直突变,会影响负载的寿命,所以需要将方波交流电转换成正弦交流电,即将红蓝矩形波形转换成绿色正弦波形。

逆变器

图5-4:全桥逆变器工作电压波形

矩形波变成正弦波,这就需要在半个正弦周期内增加开关频次,即矩形波的数量,图5-1中一个正弦波周期只有两次开关切换,实际上一个正弦波周期里面有许多次开关切换,如图5-5所示,以半个正弦波周期为例,此时均为正向电流,电压方向不变,Q2、Q3保持关断,Q1、Q4间歇导通与关断,导通与关断的时间和次数决定半个周期内蓝色矩形波的宽度和数量,开关宽度可调,平均值下来就接近正弦交流电,最后通过旁路的平滑电容Cout,将波形变得更加平滑。

逆变器

图5-5:全桥逆变器工作电压波形

将四个开关分为两组,Q1、Q4为一组,Q2、Q3为一组,从上面的逆变过程中我们可以得出,输出的主体交流电频率由两组NMOS开关决定,以50HZ交流电为例,50HZ交流电周期T=1/f=0.02S,其中正向0.01S,负向0.01S,那么对应到Q1、Q4和Q2、Q4上,Q1、Q4大频率f1是50HZ(1/(导通0.01S+关断0.01S)),Q2、Q3大频率f1也是50HZ(1/(导通0.01S+关断0.01S)),两组相位差90°。以Q1、Q4一个周期为例,关断期间一直关闭,导通期间为间歇导通,所以这里面也有一个二级频率f2。归纳为大频率f1决定输出的交流电频率,二级频率f2决定输出交流电的峰-峰值和矫正矩形波为标准正弦波。(开关方式降低高DC电压的机理,传送门:DC-DC-1:DC-DC的原理以及构成)

逆变器

图5-6:50HZ周期示例

3.NMOS选型

搭建一个分立式逆变系统,NMOS的选型至关重要,除了常规的VGSS、IDSS、RDSON,还需要关注其动态参数,例如在电磁感应式无线充电中,工作频率在几百KHZ,而共振式无线充电,工作频率在7MHZ附近,这就为NMOS的动态特性提出了要求,包括导通关断延时,较低的开关损耗,基准开关性能(极低的Rdson×Qg和Rdson×Qgd),高频率工作状态下良好的EMI表现(集成阻尼网络)。如图5-7和图5-8,可以比较一下其参数,因为共振式工作频率更高,所以其Gate charge characteristics参数更加优秀,驱动损耗更低,驱动速度更快。

逆变器

图5-7:应用于感应式的NMOS:BSC0996NS

逆变器

图5-8:应用于共振式的NMOS:BSZ0909ND

所以逆变器的MOS选型依据有如下几点:

1.基本VDSS、IDSS、Rdson参数。

2.根据MOS工作的最大频率(1.5×fsw)选择QG、QGD。

3.根据MOS工作的最大频率(1.5×fsw)评估Raise time、Fall time、Td、Toff。

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