宜普推出用于eGaN场效应晶体管设计的EPC9004开发板

 

　　宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9004开发板，这种开发板能使用户更方便地使用宜普200V增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管设计产品，其应用范围广泛，如太阳能微型逆变器、D类音频放大器、以太网供电(PoE)系统和同步整流器。

　　EPC9004开发板是一种200V最大输入电压、2A最大输出电流并带板载栅极驱动器的半桥电路设计及采用EPC2012 200V eGaN FET。推出这种开发板的目的是简化评估EPC2012 eGaN FET的过程，因为EPC9004是块单板，上面集成了所有关键元器件，可以方便地连接任何现有转换器。

　　EPC9004开发板尺寸为2英寸x1.5英寸，不仅包含了带栅极驱动器且采用半桥配置的两个EPC2012 eGaN FET，而且包含有板载栅极驱动电源和旁路电容。电路板上还设计有多个探测点，以便测量简单的波形和计算效率。