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CREE的GTVA107001EC是款700瓦GaN on SiC高电子迁移率晶体管(HEMT),适用于960至1215MHz频率段。GTVA10700具备输入适配功能性;高效化;和热强化封装;带螺母稳固法兰盘。
特征
输入适配
普遍的脉冲CW性能指标(AB类);1030MHz;50伏;128ms脉冲宽度;10%pwm占空比;输出功率P3dB=890W;引流效率=75%;增益值=18dB
可以承受10:1负载失谐(脉冲情况下700W功率输出下的所有相位差:50V;100mAIDQ;128μs脉冲宽度;10%pwm占空比
模特模型类IC(根据ANSI/ESDA/JEDECJS-001)
无铅并符合RoHS标准规定
应用
雷达放大器
CREE(科锐)成立于1987年,CREE科锐具备30多年的宽带GAP原材料和创新产品,CREE科锐是一个完整的设计合作伙伴,符合射频的需求,CREE科锐为行业内技术领先的机器设备提供更强的功率和更低的功能损耗。CREE科锐由最开始的GaN基材LED产品技术领先全世界,到微波射频与毫米波芯片产品,CREE科锐于2017年分离出微波射频品牌Wolfspeed,以宽带、大功率放大器产品为特色。
深圳市立维创展科技是CREE的经销商,拥有CREE微波器件优势供货渠道,并长期库存现货,以备中国市场需求。
Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
GTVA107001FC-V1 | GaN on SiC | 0.96 GHz | 1.215 GHz | 700 W | 20 dB | 70% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Earless |
GTVA107001EC-V1 | GaN on SiC | 0.96 GHz | 1.215 GHz | 700 W | 20 dB | 70% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |
审核编辑 黄宇
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