6月研讨会报名中 | 快来get新知识！

近年来，随着电动汽车的加速以及物联网在工业设备、消费电子设备领域的普及，应用产品中搭载的半导体数量也与日俱增。GaN作为比肩SiC的第三代半导体，虽然在耐压（650V）及大电流方面并无惊艳之处，但其在开关频率特性上，有着绝对量级上（200kHz以上）的优势。因此，在数据电源、基站电源、小型充电器等一般领域；OBC、48V系统、激光雷达等车载领域中，可以充分发挥其低功耗、高工作频率的优势。

 

 

   

   研讨会摘要

1  GaN的介绍

2  使用罗姆GaN的产品解决方案

3  罗姆GaN产品开发路线

 

   

   研讨会主题

罗姆EcoGaN & LSI技术

・EcoGaN是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

 

   

   研讨会时间

2023年6月28日 上午10点

 

   

   研讨会讲师

 

 

 

周劲

副总经理

2005年加入ROHM，现为罗姆半导体(上海)有限公司技术中心High Power Solution部门负责人。在模拟IC和功率半导体器件、功率器件解决方案等方面有丰富的专业知识和经验。

 

   

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   更多内容

【产品新闻】

 ROHM确立栅极耐压高达8V的150V GaN HEMT的量产体制

 

【产品系列详情】

GaN HEMT系列

 

【产品相关资料】

1.150V耐压GaN HEMT GNE1040TB Datasheet

2.ROHM确立栅极耐压高达8V的150V GaN HEMT的量产体制介绍资料

3.实现高分辨率 LiDAR运用的 GaN HEMT激光驱动 参考设计

 

         

宣 传 礼

     

 

   

 

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好 学 礼

     

 

   

 

 研讨会过后还设有Q&A环节，我们将从提出课堂相关问题的罗姆粉丝中随机抽取10名幸运观众，各送出30元京东卡一份。

 

 

 

 

 

注意事项

 

1. 请注意，想获得以上好礼都需要关注“罗姆微信公众号”（微信号：rohmsemi）。

2. 每位用户仅可领取一种奖品。

3. 活动最终解释权归罗姆半导体集团所有。

 

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原文标题：6月研讨会报名中 | 快来get新知识！

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