LM193-N 系列由两个独立的精密电压比较器组成,两个比较器的失调电压规格低至 2.0 mV最大值,这两个比较器专门设计用于在宽电压范围内由单个电源工作。也可以采用分离式电源工作,低电源电流消耗与电源电压的大小无关。这些比较器还具有独特的特性,即输入共模电压范围包括地,即使采用单电源电压工作也是如此。
应用领域包括限幅比较器、简单的模数转换器;脉冲、方波和延时发生器;宽范围VCO;MOS时钟定时器;多谐振荡器和高压数字逻辑门。LM193-N系列设计用于直接与 TTL 和 CMOS 接口。当采用正负电源工作时,LM19-N 系列将直接与 MOS逻辑接口,其中其低功耗消耗比标准比较器具有明显的优势。
LM393 和 LM2903 器件采用 TI 创新的薄型 DSBGA 封装,带有 8 (12 mil) 大凸块。
LMx93-N 引脚排列
LMx93-N 引脚排列
LMx93-N 电路
LMx93-N 电路
数据表
LMx93-N 数据表
特征
广泛的供应
电压范围:2.0 V 至 36 V
单电源或双电源:±1.0 V至±18 V
极低电源电流消耗 (0.4 mA) — 与电源电压无关
低输入偏置电流:25 nA
低输入失调电流:±5 nA
最大失调电压:±3 mV
输入共模电压范围包括接地
差分输入电压范围等于电源电压
低输出饱和电压:250 mA 时为 4 mV
输出电压与 TTL、DTL、ECL、MOS 和 CMOS 逻辑系统兼容
采用 8 凸块 (12 mil) DSBGA 封装
有关 DSBGA 注意事项,请参阅 AN-1112 (SNVA009)
优势
高精度比较器
降低的 V操作系统温度漂移
无需双电源
允许在地附近感应
与所有形式的逻辑兼容
适合电池供电的功率消耗
应用
电池供电应用
工业应用
详细信息:
LM193
系列是高增益、宽带宽器件,与大多数比较器一样,如果无意中允许输出引线通过杂散电容电容耦合到输入,则很容易振荡。这仅在比较器改变状态时的输出电压转换间隔期间显示出来。解决此问题不需要电源旁路。标准
PC 板布局非常有用,因为它减少了杂散输入-输出耦合。将输入电阻降低到《 10 kΩ会降低反馈信号电平,最后,即使增加少量(1.0至10
mV)的正反馈(迟滞)也会导致如此快速的转换,以至于不可能因杂散反馈引起的振荡。
除非使用迟滞,否则只需将IC插入并将电阻连接到引脚,即可在小转换间隔内引起输入输出振荡。如果输入信号是脉冲波形,上升和下降时间相对较快,则不需要迟滞。任何未使用的比较器的所有输入引脚都应连接到负电源。LM193
系列的偏置网络在 2.0 VDC 至 30 VDC
范围内建立的漏极电流与电源电压的大小无关。差分输入电压可能大于V+而不会损坏器件典型应用。应提供保护,以防止输入电压变为负值超过−0.3
VDC(25°C时)。输入箝位二极管的使用如典型应用所示。
LM193 系列的输出是接地发射极 NPN
输出晶体管的非专用集电极。许多收集器可以连接在一起以提供输出OR‘ing功能。输出上拉电阻可以连接到允许电源电压范围内的任何可用电源电压,并且由于施加到
LM193 封装的 V + 端子的电压大小,该电压没有限制。输出也可用作简单的单刀单掷开关至地(不使用上拉电阻时)。输出设备可以吸收的电流量受可用驱动器(与V
+无关)和该器件β的限制。
当达到最大电流限值(约16 mA)时,输出晶体管将达到饱和状态,输出电压将迅速上升。输出饱和电压受输出晶体管约60 Ω
rSAT的限制。输出晶体管的低失调电压(1.0 mV)允许输出基本上箝位至地电平,以提供小负载电流。
设备功能模式
基本比较器电路用于将模拟信号转换为数字输出。当同相(+IN)输入上的电压大于反相(-IN)输入时,输出为高电平。当同相(+IN)输入上的电压小于反相(-IN)输入时,输出为低电平。反相输入(-IN)通常也称为“基准”或“VREF”输入。任何未使用的比较器的所有引脚都应连接到负电源。
电源建议
即使在低频应用中,LM139-N 也可以具有极快的内部瞬变。因此,以1.0
μF的接地旁路电源将提高性能;电源旁路电容器应尽可能靠近电源引脚放置,并牢固地接地。旁路电容应具有低 ESR 和大于 50MHz 的 SRF。
布局示例
LM393-N-布局示例
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