借助更多的选项响应正反馈

负反馈什么时候会变成正反馈？当控制工程师想要实现不错的增益和相位裕度时。本博文概述第 4 代 SiC FET 如何为设计人员提供理想性能和多种器件选择，同时支持更高的设计灵活性，从而实现成本效益最优的功率设计。

这篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 发布，该公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家领先的碳化硅 (SiC) 功率半导体制造商，它的加入促使 Qorvo 将业务扩展到电动汽车 (EV)、工业电源、电路保护、可再生能源和数据中心电源等快速增长的市场。

反馈是件好事，控制工程师希望收到负反馈，以及良好的增益和相位裕度，而商人则更喜欢正反馈，比如：客户要求 750V 级 UnitedSiC 第 4 代 SiC FET 有更多的选项。UnitedSiC 的 18 毫欧和 60 毫欧器件在市场占据领先地位，但在有些应用中，更低电阻部件和更高中间值更有优势。这取决于具体应用和预算，导通电阻非常低的单个高端 SiC FET 占用空间非常小，装配起来也较简单，但将低成本部件并联也能得到相同的导通电阻，且通常也同样有效，尤其是有一些散热空间时。然而，这需要将器件并联，并需要更多的设计工作。

第 4 代 SiC FET 系列增添了更多部件

为实现这一灵活性，UnitedSiC 推出了导通电阻为 23、33 和 44 毫欧的第 4 代 750V SiC FET，以及 6、9 和 11 毫欧部件，这是在已推出的 18 和 60 毫欧器件的基础上做出的一次重大改进。如今，客户可以根据其特定的热力工况和运行条件进行混合搭配，以实现价格和性能的最佳组合，或许还可以根据应用需求或多或少地并联一些低成本部件，使其适用于不同设计，从而享受这些低成本部件的批发价格。

并联 SiC FET 很容易，而且栅极驱动功率非常低，使得并联产生的额外功率通常都无关紧要。由于这些器件的导通电阻具有正温度系数，所以自然能实现均流，此外还有一个额外的相关优势，即与单个 9 毫欧器件相比，两个并联的 18 毫欧器件的总传导损耗更低。这是因为与单个器件相比，这两个器件各流过一半的电流，产生的功率也只有一半，每个器件的温升也更低，而且导通电阻的增幅也会按比例减少。此外，随着结温的降低，可靠性也自然会提高，从而为已经很高的 SiC 最大值提供更多的裕量。UnitedSiC 基于网络的 FET-Jet 计算器现已推出第 2 个版本，可用于查看任意数量的并联 SiC FET 在各种应用和运行条件下的效果，并提供了一些实际损耗和温升的数据。

图 1：竞争激烈环境下 UnitedSiC 全新 750V SiC FET 系列新增产品

第 4 代 SiC FET 仍为行业领先技术

该系列的新增产品与旧有产品一样具有出色的品质因数，并采用了同样先进的第4 代制造工艺，比如：可减少基材传导损耗的晶圆减薄技术，以及可实现最低结-壳热阻和相应低结温的银烧结晶粒贴装技术。这些部件采用 TO-247 3 引脚封装，且在需要采用源极开尔文连接时，还可以使用 4 引脚封装。图1 总结了与SiC MOSFET 竞争产品相比，新型 750V SiC FET 的优势，并且不要忘了， SiC MOSFET的 额定电压仅为 650V。

UnitedSiC 750V SiC FET 系列提供更灵活广泛的部件选择，可用于许多应用。而且符合 AEC-Q101 汽车级认证要求，因此可用于牵引逆变器、车载和非车载充电器、DC/DC 转换器以及无线充电，以实现比 650V 额定部件更高的效率和电压裕度。在 AC 和 DC 固态断路器应用中，低传导损耗对提高效率和缩小尺寸至关重要，因此超低导通电阻具有重要价值。一般来说，在工业和 IT 功率转换产品中，第 4 代 SiC FET 还可以提高硬开关和软开关拓扑结构的性能。

请您继续提供反馈，UnitedSiC 已根据您的需求优化了环路补偿，以实现快速响应，提供更多的选项。

审核编辑：汤梓红