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★★★ Diode-1---二极管的关键参数 ★★★
€1.二极管的结构
二极管的物理结构有两种,一种是普通的P-N结,一种是金属半导体结( 图1-1 )。
图1-1:PN结和金属-半导体结
根据结的属性不同,形成的二极管按结构和用途可以分为如下表1-1所示:
表1-1:二极管分类
€2.二极管典型电参数
无论是普通的PN结还是金属结,典型电参数都是一样的:
1.IF(AV):平均正向电流
二极管的平均正向电流IF(average)规定了在特定波形下( 图1-2 )的电流能力,而不会因-过热而造成损坏。当比较多个IF(AV)额定值时,必须特别注意测量条件。占空比δ为50%的20kHz方波的IF(AV)。占空比定义δ为0.5,开关频率f为20kHz时,t2=1/20kHz=50us t1=t2∙δ=25us。
图1-2:平均正向电流定义波形
2.IF:正向电流
与IF(AV)相比电流IF表示占空比操作允许的最大恒定电流,即在直流DC条件下。
3.IFSM:非重复峰值正向电流
与IF相反,非重复峰值正向电流IFSM规定了允许最大单电流脉冲。因此,IFSM是对激增的衡量二极管的电流容量。需要注意的是,IFSM对单个事件,如启动时或掉负荷情况下的涌入电流。测试用于表征这一特性的脉冲是一个单周期半正弦波,脉冲长度为tp8.3ms,对应于60Hz半正弦波。
4.VR:反向阻断电压
二极管在进入击穿操作之前能够承受的最大允许反向电压,这通常会导致零件损坏。反向阻断电压和平均电流是二极管命名惯例中使用的关键参数,正向和反向特性都表现出强烈的温度依赖性。
5.VF:正向压降
二极管的正向压降VF决定了二极管正向偏置时的导通损耗。这在SMPS等高效应用中或在反极性保护中非常重要,VF应尽可能低。
6.IR:反向电流IR
反向电流IR,也称为泄漏电流。这是反向偏置时流过二极管的电流量,该电流越小表示反向阻断效应越好。当反向功率PR=VR×IR时,泄漏电流IR定义了给定反向电压在反方向上产生的功率。
7.trr:反向恢复时间
当电压由正向变为反向时, 电流并不立刻变为0 , 而是在一段时间ts内, 反向电流始终很大, 二极管并不关断。经过ts后, 反向电流才逐渐变小, 再经过tf时间, 二极管的电流才成为0。ts称为储存时间,tf称为下降时间。trr=ts+tf称为反向恢复时间, 以上过程称为反向恢复过程。
€3.整流二极管
整流二极管,顾名思义就是用在各种电源整流电路中,将交流电转换为直流电,因此整流二极管需要有足够的耐压和过流值。整流器基于器件结构中的经典P-N结。在用作垂直器件阴极的N+衬底上外延生长N掺杂漂移层。二极管的阳极通过将P掺杂剂注入并扩散到外延层中来实现。P扩散步骤决定了P阱的轮廓,因此对二极管的击穿电压至关重要。恢复整流器的最大反向电压从大约200V开始,并增加到大约1700V。反向电压范围高端的二极管由P-I-N结而非P-N界面组成,因为P和N区之间的几乎未掺杂层允许在器件反向偏置时向耗尽层进一步扩展。顶部金属化层用于与二极管的阳极形成欧姆接触。
整流二极管最需要关注的参数是IF(AV)和VR,通常取VR=1.5~2倍的交流峰值电压,在此基础上VF和IR尽量小。另外如图1-3所示整流二极管的正向特性随电流电平和温度的变化而变化,在低电流区,VF在高温时较低,而在大电流区的情况则相反。一般来说,使用二极管应该在Q点(上述两种情况的交叉点)以下有足够的温度裕量。
图1-3:IF-VF特性
€4.快速恢复二极管(FRD)
快速恢复二极管的结构和功能与整流二极管相同。整流二极管用于500Hz以下的低频应用,而FRD则用于从几kHz到100kHz的高频开关。因此,二极管具有反向恢复时间(trr)很短的特性,这对高速开关非常重要,根据trr值,FRD也称为S-FRD、HED等,图1-4表示了二极管开关操作中的损耗,Ploss=VF×IF,虚线部分为Ploss,不仅仅在导通期间有损耗,施加反向电压时有反向电流,同样一直存在损耗。
一般整流二极管的trr为几微秒到几十微秒。另一方面,FRD的trr是几十毫微秒到几百毫微秒,约为整流二极管的1/100。它应用于开关电源、逆变器、DC/DC转换器等。
图1-4:左-二极管开关波形和损耗实例 ,右-通用整流器与FRD的trr比较
当频率较低时,由trr引起的损耗(反向恢复损耗)可以忽略不计,但这种损耗会随着频率的增加而增加,当频率变为几kHz或更高时,则损耗不能忽略。
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