6.3.7 迁移率限制因素∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
描述
6.3.7 迁移率限制因素
6.3 氧化及氧化硅/SiC 界面特性
第６章 碳化硅器件工艺
《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
- 相关推荐
- SiC
-
8.2.10.3 4H-SiC反型层迁移率的实验结果∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-03-05 536
-
8.2.11 氧化层可靠性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-03-07 494
-
6.5 总结∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-27 1282
-
8.2.12 MOSFET 瞬态响应∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-03-07 771
-
6.3.1 氧化速率∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-04 889
-
8.2.10.1 影响反型层迁移率的机理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-03-03 597
-
6.3.2 氧化硅的介电性能∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-04 1185
-
6.4.1.1 基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-24 1185
-
6.1.1 选择性掺杂技术∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-06 1003
-
6.4.1.2 SiC上的肖特基接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-24 743
-
8.2.10.2 反型层迁移率的器件相关定义∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-03-04 546
-
6.4.2.1 基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-24 1674
-
6.1.5 高温退火和表面粗糙化∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2021-12-31 840
-
6.4.2.2 n型SiC的欧姆接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-25 1116
-
8.1.6 功率JFET器件的实现∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-02-21 792
全部0条评论
快来发表一下你的评论吧 !
