6.3.6 不同晶面上的氧化硅/SiC 界面特性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
描述
6.3.6 不同晶面上的氧化硅/SiC 界面特性
6.3 氧化及氧化硅/SiC 界面特性
第６章 碳化硅器件工艺
《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
- 相关推荐
- SiC
-
6.3.5.3 界面氮化∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-17 898
-
6.3.7 迁移率限制因素∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-21 1087
-
6.3.5.1 界面态分布∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-12 1129
-
6.3.4.3 确定表面势、6.3.4.4 Terman法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-07 1124
-
6.3.5.4 其他方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-18 922
-
6.3.1 氧化速率∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-04 887
-
6.3.5.2 氧化后退火∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-13 939
-
6.3.2 氧化硅的介电性能∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-04 1182
-
6.4.1.1 基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-24 1182
-
6.3.3 热氧化氧化硅的结构和物理特性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-04 923
-
6.3.5.5 界面的不稳定性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-19 686
-
6.4.1.2 SiC上的肖特基接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-24 741
-
6.3.4.1 SiC特有的基本现象∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-05 746
-
6.3.4.8 其他方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-11 749
-
6.3.4.2 MOS电容等效电路∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-07 728
全部0条评论
快来发表一下你的评论吧 !
