登录
7.3.3 “i”区的电势下降∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
深圳市致知行科技有限公司
2022-02-14
385
我要咨询
深圳市致知行科技有限公司
363 内容
22w+阅读
47粉丝
+关注
描述
7.3.3 “i”区的电势下降
7.3 pn与pin结型二极管
第7章 单极型和双极型功率二极管
《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
打开APP阅读更多精彩内容
点击阅读全文
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
相关推荐
二极管
7.3.4 电流-电压关系∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-02-14
903
6.5 总结∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-01-27
971
6.3.2 氧
化硅
的介电性能∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-01-04
900
6.1.4 半绝缘区域的离子注入∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-01-06
464
6.4.1.1
基本原理
∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-01-24
902
6.1.1 选择性掺杂
技术
∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-01-06
708
7.2 肖特基势磊二极管(SBD)∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-02-09
558
7.4 结势垒肖特基(JBS)二极管与混合pin肖特基(MPS)二极管∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和
2022-02-15
2741
6.4.1.2 SiC上的肖特基接触∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-01-24
538
6.4.2.1
基本原理
∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-01-24
1184
7.3 pn与pin结型二极管∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-02-10
702
8.1.4 比通态电阻∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-02-20
839
8.1 结型场效应晶体管(JFET)∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-02-16
401
5.3.2.1 寿命控制∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-01-06
606
6.4.2.3 p型SiC的欧姆接触∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-01-26
742
全部
0
条评论
快来发表一下你的评论吧 !
发送
登录/注册
×
20
完善资料,
赚取积分