10.1.7 多浮空区（MFZ）JTE和空间调制（SM）JTE∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
描述
10.1.7 多浮空区（MFZ）JTE和空间调制（SM）JTE
10.1 SiC功率器件的阻断电压和边缘终端
第10章 功率器件的优化和比较
《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
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