普通ESD和回扫ESD特性对比

 

 

普通ESD和回扫ESD对比

 

如今是5G时代，相比4G线路程控设备等，5G信号的传输速度更快，IC的敏感度更高，在电磁兼容的静电防护需求就提升到了一个更高的高度。

可回扫ESD以往在普通IC中发挥不了很大的应用区别，但目前在华为等电信设备商的测试需求中，专门强调了防静电ESD的回扫特性(snapback)。

那什么是静电器件的回扫特性呢?

可以对比下以下图片。

图一普通ESD的特性曲线

 

图二Snapback 回扫特性曲线ESD曲线

 

图三回扫ESD的特性参数

从以上图片的区别看出，回扫ESD最大的特点是在Vt触发电压之后，芯片会在瞬间降低ESD两端的钳位电压，这个电压Vh范围在工作电压和触发电压之间，然后在随着电流的增大，而电压逐步增加。在同样Ipp电流的情况下，Vc钳位电压比常规的ESD器件低30%以上，极大的保证了被保护IC乃至整个电路的安全。

 

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原文标题：普通ESD和回扫ESD特性对比

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