芯经验——常用存储器形式

1.ROM(Read-only memory)

ROM是一种非易失性存储器，制造后内部储存不能进行电子修改，断电后储存依然保留。这类存储器可用于存储电子设备寿命内极少更改的软件，比如查表数据或boot代码。当然，如需修复错误或者升级代码，只能通过更换硬件实现。

 

严格意义上来说，ROM是指硬连接的存储器，例如二极管矩阵或掩模ROM集成电路（IC），只能在制造阶段写入。为了便于用户更改，又出现了可重复擦除和写入的EPROM、EEPROM，这类存储器速度相对较慢，擦除或写入一般需要特殊工艺，可重复次数也有一定限制。

 

2.EPROM(Erasable Programmable Read-Only Memory)

EPROM是基于浮栅结构的ROM，一般指UV-EPROM。该存储器烧写后，可以通过将其暴露在强紫外光下进行擦除。所以这类器件封装都有透窗，很容易辨认。

3.EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)

EEPROM设计为支持电子修改，通过开始信号，就可以对其进行烧写和擦除。最初的EEPROM仅限于单字节操作，导致速度较慢，现代EEPROM允许page/block操作（FLASH）。EEPROM的重复擦除和写入次数最高可达一百万次以上。

4.FLASH

FLASH是一种专为高速读取和大容量存储设计的EEPROM，特点是大block/page写入（一般512字节以上）和有限的写入周期数（一般为10,000次）。根据位线和字线是否拉高或拉低，FLASH分为 NOR FLASH和NAND FLASH两种类型。

 

NAND FLASH可以按block/page进行擦除、写入和读取，NOR FLASH允许将单字写入、位置或读取。FLASH设备通常由一个或多个FLASH chip以及一个单独的闪存控制器芯片组成。FLASH具有快速的读取访问时间，但一般不如静态RAM或ROM快，并且单block/page写入次数寿命较少。

FLASH与EEPROM没有明确区分，一般“EEPROM”通常用于定义具有小block（小至一个字节）和长寿命（通常为1,000,000 次）的非易失性存储器。近年来，FLASH已经大规模替代了EEPROM，并且部分FLASH成本已经低于EEPROM。

 

5.RAM(Random-Access Memory)

RAM是一种断电即丢失的存储形式。RAM可以按任何顺序读取和更改，允许在几乎相同的时间内读取或写入数据，而与存储物理位置无关。基于这一特点常用来存放工作数据和对实时性要求高的代码。有时ROM或FLASH中代码，先被复制到RAM中然后再运行，以提高运行速度。

 

RAM包含多路复用和多路分解电路，用于将数据线连接到寻址存储以读取或写入条目。RAM往往有多条数据线，一般按照“8位”或“16位”等分类。RAM根据实现电路不同分为SRAM、DRAM、SDRAM、SGRAM等型号。

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