8.2.10.1 影响反型层迁移率的机理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
描述
8.2.10.1 影响反型层迁移率的机理
8.2.10 反型层电子迁移率
8.2 金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)
第８章 单极型功率开关器件
《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
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