如何正确选择MOS管？需要注意哪些细节

　　MOS管由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于压控半导体器件，具有输入电阻高10^7~10^12Ω)、低噪声、低功耗、动态范围大、易集成、无二次击穿、安全工作区宽等优点，现已成为双极晶体管和功率晶体管的有力竞争者。

　　  1)用N沟道或P沟道?

　　  选择一个好的MOS晶体管器件的是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。当MOS管连接到总线并且负载接地时，就使用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。

　　  2)确定MOS管的额定电流

　　  额定电流应该是负载在任何情况下都能承受的最大电流。与电压情况类似，即使系统产生峰值电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。  3)选择MOS管的下一步是系统的散热要求。

　　  必须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用最坏情况的计算结果，因为这个结果提供了更大的安全裕度，可以保证系统不会出现故障。

　　  4)选择MOS管的关键一步是确定MOS管的开关性能。

　　  影响开关性能的参数很多，但重要的是栅极/漏极、栅极/源极和漏极/源极电容。这些电容会导致器件的开关损耗，因为每次开关时都要充电。

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