6.1.3 p型区的离子注入∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
描述
6.1.3 p型区的离子注入
6.1 离子注入
第６章 碳化硅器件工艺
《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
- 相关推荐
- SiC
-
7.3.4 电流-电压关系∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-02-14 1155
-
6.2.3 湿法腐蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-04 856
-
7.3.3 “i”区的电势下降∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-02-14 516
-
7.3.2 “i”区中的载流子浓度∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-02-14 643
-
6.5 总结∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-27 1287
-
6.1.4 半绝缘区域的离子注入∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-06 658
-
6.4.1.1 基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-24 1193
-
6.1.1 选择性掺杂技术∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-06 1004
-
6.1.6 离子注入及后续退火过程中的缺陷行成∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2021-12-31 836
-
6.4.2.1 基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-24 1681
-
6.1.5 高温退火和表面粗糙化∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2021-12-31 845
-
6.2.1 反应性离子刻蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2021-12-31 1273
-
6.4.2.2 n型SiC的欧姆接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-25 1118
-
6.2.2 高温气体刻蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2021-12-31 1159
-
6.4.2.3 p型SiC的欧姆接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-26 961
全部0条评论
快来发表一下你的评论吧 !
