登录
附录C 常见SiC多型体主要物理性质∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
深圳市致知行科技有限公司
2022-05-09
385
我要咨询
深圳市致知行科技有限公司
363 内容
22w+阅读
47粉丝
+关注
描述
附录C 常见SiC多型体主要物理性质
附录
《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
打开APP阅读更多精彩内容
点击阅读全文
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
相关推荐
碳化硅
6.3.6 不同晶面上的氧
化硅
/
SiC
界面特性∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-01-21
851
6.5 总结∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-01-27
966
6.3.2 氧
化硅
的介电性能∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-01-04
899
6.4.1.1
基本原理
∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-01-24
901
6.3.3 热氧化氧
化硅
的结构和
物理
特性∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-01-04
633
6.4.1.2
SiC
上的肖特基接触∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-01-24
536
6.3.4.1
SiC
特有的基本现象∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-01-05
558
6.4.2.1
基本原理
∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-01-24
1182
6.3.4.2 MOS电容等效电路∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-01-07
504
5.3.2.1 寿命控制∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-01-06
602
5.3.2 载流子寿命“杀手”∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-01-06
645
5.3.1.2 杂质∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-01-06
611
5.3.1.1 本征缺陷∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-01-06
819
6.4.2.3 p型
SiC
的欧姆接触∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-01-26
739
5.2.3 扩展缺陷对
SiC
器件
性能的影响∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-01-06
687
全部
0
条评论
快来发表一下你的评论吧 !
发送
登录/注册
×
20
完善资料,
赚取积分