10.1.5 节终端扩展（JTE）∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
描述
10.1.5 节终端扩展（JTE）
10.1 SiC功率器件的阻断电压和边缘终端
第10章 功率器件的优化和比较
《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
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