7.4 结势垒肖特基（JBS）二极管与混合pin肖特基（MPS）二极管∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和

7.4 结势垒肖特基（JBS）二极管与混合pin肖特基（MPS）二极管

第７章　单极型和双极型功率二极管

《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

 

 

 

往期内容：
 

7.3.4 电流-电压关系∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

7.3.3 “i”区的电势下降∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

7.3.2 “i”区中的载流子浓度∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

7.3.1 大注入与双极扩散方程∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

7.3 pn与pin结型二极管∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

7.2 肖特基势磊二极管（SBD）∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

7.1.3 双极型功率器件优值系数∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

7.1.2 单极型功率器件优值系数∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

7.1.1 阻断电压∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

第７章　单极型和双极型功率二极管

6.5 总结∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

6.4.2.3 p型SiC的欧姆接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

6.4.2.2 n型SiC的欧姆接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

6.4.2.1 基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

6.4.1.2 SiC上的肖特基接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

6.4.1.1 基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

6.3.7 迁移率限制因素∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

6.3.6 不同晶面上的氧化硅/SiC 界面特性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

6.3.5.5 界面的不稳定性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

6.3.5.4 其他方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

6.3.5.3 界面氮化∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

6.3.5.2 氧化后退火∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

6.3.5.1 界面态分布∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

6.3.4.8 其他方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

6.3.4.7 电导法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

6.3.4.6 C-Ψs方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

6.3.4.5 高低频方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

6.3.4.3 确定表面势、6.3.4.4 Terman法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

6.3.4.2 MOS电容等效电路∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

6.3.4.1 SiC特有的基本现象∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

6.3.3 热氧化氧化硅的结构和物理特性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

6.3.2 氧化硅的介电性能∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

6.3.1 氧化速率∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

6.2.3 湿法腐蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

6.2.2 高温气体刻蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

6.2.1 反应性离子刻蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

6.1.6 离子注入及后续退火过程中的缺陷行成∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

6.1.5 高温退火和表面粗糙化∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

6.1.4 半绝缘区域的离子注入∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

6.1.3 p型区的离子注入∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

6.1.1 选择性掺杂技术∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

6.1.1 选择性掺杂技术∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

第６章　碳化硅器件工艺

5.4 总结∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

5.3.2.1 寿命控制∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

5.3.2 载流子寿命“杀手”∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

5.3.1.2 杂质∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

5.3.1.1 本征缺陷∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

5.3 SiC中的点缺陷

5.2.3 扩展缺陷对SiC器件性能的影响∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

5.2.1 SiC主要的扩展缺陷&5.2.2 双极退化∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

5.2 SiC的扩展缺陷

5.1.6.2 电子顺磁共振∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

5.1.6.1 深能级瞬态谱∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

5.1.5.3 光致发光映射/成像、5.1.5.4 表面形貌的高分辨映射
 

5.1.5.2 X射线形貌∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

5.1.5.1 化学腐蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

5.1.4.4 衬底和表面处的载流子复合效应∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

5.1.4.3 反向恢复（RR）∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

5.1.4.2 光电导衰减（PCD）∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

5.1.3 霍尔效应及电容-电压测试∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

5.1.2 拉曼散射∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

5.1.1.5 本征点缺陷∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

5.1.1.4 其他杂质 ∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

5.1.1.3 施主-受主对的复合 ∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

5.1.1.2 束缚于中性掺杂杂质的激子 ∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

5.1.1 光致发光 ∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

5.1 表征技术

第５章　碳化硅的缺陷及表征技术

4.8 总结∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

4.7.2 3C-SiC在六方SiC上的异质外延生长∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

4.7.1 3C-SiC在Si上的异质外延∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

4.6 其他SiC同质外延技术∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

4.5.3 SiC嵌入式同质外延∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

4.5.2 SiC在非基矢面上的同质外延∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

4.5.1 SiC在近正轴{0001}面上的同质外延∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

4.4 SiC快速同质外延∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

4.3.2 深能级缺陷∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

4.3.1.4 次生堆垛层错∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

4.3.1.3 位错∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

4.3.1.2 微管∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

4.3.1.1 表面形貌缺陷∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

4.2.3 p型掺杂∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

4.2.2 n型掺杂∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

4.2.1 背景掺杂∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

4.1.5 SiC外延的反应室设计∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

4.1.4 表面形貌及台阶动力学∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

4.1.3 生长速率及建模∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

4.1.2 SiC同质外延的理论模型∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

4.1.1 SiC外延的多型体复制∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

第４章　碳化硅外延生长

3.9 总结∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

3.8 切片及抛光∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

3.7 化学气相淀积法生长3C-SiC晶圆∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

3.6 溶液法生长∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

3.5 高温化学气相沉淀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

3.4.3 p型掺杂/3.4.4 半绝缘型∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
3.4.2 n型掺杂∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

3.4.1 杂质掺杂∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
3.3.5 减少缺陷∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

3.3.4 贯穿刃型位错及基矢面位错∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

3.3.3 贯穿螺型错位∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

3.3.2 微管缺陷∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

3.3.1 堆垛层错∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

3.2  升华法生长中多型体控制∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

3.1.3 建模与仿真∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

3.1.2 .1 热力学因素、3.1.2.2 动力学因素∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

3.1.2 升华（物理气相运输）法过程中的基本现象∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》3.1.1 Si-C相图∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

第３章　碳化硅晶体生长

2.4 总结∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
2.3 热学和机械特性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

2.2.6  击穿电场强度∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

2.2.5  漂移速率∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

2.2.4  迁移率∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

2.2.3  杂质掺杂和载流子浓度∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

2.2.2 光吸收系数和折射率∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

2.2.1  能带结构∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

2.1   晶体结构∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

第２章　碳化硅的物理性质
 

１.３　本书提纲∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

１.2　碳化硅的特性和简史∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
 

１.１　电子学的进展∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

第１章　导论
 

国产碳化硅（SiC）器件替代进口：
 

SiC SBD(MPS-PIN)-混合PiNSchottky(MPS)二极管

SiC MOSFET        

 

链接：MCR：MOS Controlled Rectifier，MOS控制的二极管/整流器，超低反向漏电、175°结温、高浪涌
 

 

链接：MCR二极管、SBD二极管、FR-MOS管晶圆选型说明