MT29F2G08ABAEAWP:E STOCK

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SLC NAND Flash 并行 3.3V 2Gbit 256M x 8bit 48-Pin TSOP-I Tray

 

MT29F2G08ABAEAWP:E美光 NAND 闪存设备包括用于高性能 I/O 操作的异步数据接口。这些设备使用高度复用的 8 位总线 (I/Ox) 来传输命令、地址和数据。有五个控制信号用于实现异步数据接口：CE#、CLE、ALE、WE# 和 RE#。附加信号控制硬件写保护和监视设备状态 (R/B#)。该硬件接口创建了一个低引脚数设备，其标准引脚排列从一种密度到另一种密度保持不变，使未来无需重新设计电路板即可升级到更高密度。目标是芯片使能信号访问的内存单元。一个目标包含一个或多个 NAND 闪存芯片。一个NAND Flash die是可以独立执行命令和报告状态的最小单元。一个 NAND 闪存芯片，在 ONFI 规范中，称为逻辑单元 (LUN)。每个芯片使能信号至少有一个 NAND 闪存芯片。有关更多详细信息，请参阅设备和阵列组织。该设备有一个内部 4 位 ECC，可以使用 GET/SET 功能或由工厂启用（始终启用）。
MT29F2G08ABAEAWP:E 主要特点

开放 NAND 闪存接口 (ONFI) 1.0 兼容
单层单元 (SLC) 技术
组织
页大小 x8：2112 字节（2048 + 64 字节）
页面大小 x16：1056 字（1024 + 32 字）
块大小：64 页（128K + 4K 字节）
平面大小：2 个平面 x 每个平面 1024 块
设备大小：2Gb：2048 个块
异步 I/O 性能
tRC/tWC：20ns (3.3V)、25ns (1.8V)
阵列性能
读取页面：25μs 3
程序页面：200μs (TYP: 1.8V, 3.3V)3
擦除块：700μs（典型值）
命令集：ONFI NAND Flash 协议
高级命令集
程序页缓存模式4
读取页面缓存模式4
一次性可编程 (OTP) 模式
两平面指令4
交错裸片 (LUN) 操作
读取唯一 ID
块锁（仅限 1.8V）
内部数据移动
操作状态字节提供软件检测方法
操作完成
通过/失败条件
写保护状态
Ready/Busy# (R/B#) 信号提供了一种检测操作完成的硬件方法
WP# 信号：写保护整个设备
第一个块（块地址 00h）在带有 ECC 的工厂发货时有效。有关所需的最低 ECC，请参阅错误管理。
如果 PROGRAM/ERASE 周期小于 1000，则块 0 需要 1 位 ECC
上电后需要 RESET (FFh) 作为第一个命令
上电后设备初始化的替代方法（Nand_Init）（联系工厂）
在读取数据的平面内支持内部数据移动操作
质量和可靠性
数据保留：10年
工作电压范围
VCC：2.7-3.6V
VCC：1.7–1.95V
工作温度：
商用：0°C 至 +70°C
工业 (IT)：–40ºC 至 +85ºC
包裹
48 针 TSOP 类型 1，CPL2
63-ball VFBGA