6.4.1.2 SiC上的肖特基接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
描述
6.4.1.2 SiC上的肖特基接触
6.4.1 n型和p型SiC的肖特基接触
6.4 金属化
第６章 碳化硅器件工艺
《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
- 相关推荐
- SiC
-
6.3.7 迁移率限制因素∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-21 1047
-
6.3.6 不同晶面上的氧化硅/SiC 界面特性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-21 1087
-
6.5 总结∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-27 1222
-
6.3.5.2 氧化后退火∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-13 912
-
6.3.2 氧化硅的介电性能∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-04 1151
-
6.4.1.1 基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-24 1145
-
7.1.1 阻断电压∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-02-07 814
-
6.3.4.1 SiC特有的基本现象∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-05 723
-
6.4.2.1 基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-24 1613
-
6.4.2.2 n型SiC的欧姆接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-25 1081
-
5.3.2.1 寿命控制∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-06 734
-
5.3.1.2 杂质∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-06 717
-
5.3.1.1 本征缺陷∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-06 1018
-
6.4.2.3 p型SiC的欧姆接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-26 918
-
5.2.3 扩展缺陷对SiC器件性能的影响∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-06 861
全部0条评论
快来发表一下你的评论吧 !
