11.4.1 光伏电源逆变器∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
描述
11.4.1 光伏电源逆变器
11.4 电力电子学与可再生能源
第11章 碳化硅器件在电力系统中的应用
《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
6.3.7 迁移率限制因素∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-21 1047
-
6.2.3 湿法腐蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-04 811
-
6.5 总结∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-27 1218
-
6.3.1 氧化速率∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-04 856
-
6.3.2 氧化硅的介电性能∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-04 1151
-
6.4.1.1 基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-24 1145
-
6.1.1 选择性掺杂技术∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-06 971
-
6.4.2.1 基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-24 1613
-
6.1.5 高温退火和表面粗糙化∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2021-12-31 807
-
6.2.1 反应性离子刻蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2021-12-31 1227
-
6.3.4.8 其他方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-11 715
-
6.4.2.2 n型SiC的欧姆接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-25 1080
-
6.2.2 高温气体刻蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2021-12-31 1116
-
8.1.6 功率JFET器件的实现∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-02-21 766
-
5.2.3 扩展缺陷对SiC器件性能的影响∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-06 861
全部0条评论
快来发表一下你的评论吧 !
