100v p型mos管to252封装UTT50P10参数

MOS管有两种：一个是PMOS管，一个是NMOS管；Pmos管，漏极D接负极，源极S接正极，栅极G负电压时，导电沟道建立，一般用于管理电源的通断，属于无触点开关，栅极低电平就完全导通，高电平就完全截止。

 

 

100v p型mos管UTT50P10特点

■ VDS= -100V

■ ID = -50A

■ RDS(ON) ≤ 60 mΩ @ VGS= -10V, ID= -20A

■ 开关速度快

 

100v p mos管参数
 

 

UTT50P10 100v p mos管是一个p通道功率MOSFET， 100v p型mos采用UTC工艺技术制造，具有较低的导通电阻和高切换速度，还可以在雪崩中承受高能量。
 

选择MOS管时，需要根据电路设计需求及MOS管工作场所来选取合适的MOS管，从而获得好的产品设计体验，更多MOS的选型及100v p型mos管to252封装UTT50P10 产品特性参数请向骊微电子申请。>>