FQD17P06TM

FQD17P06TM是一款大功率MOS管，

制造商: onsemi 
产品种类: MOSFET 
RoHS:  详细信息 
技术: Si 
安装风格: SMD/SMT 
封装 / 箱体: DPAK-3 
晶体管极性: P-Channel 
通道数量: 1 Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 60 V 
Id-连续漏极电流: 12 A 
Rds On-漏源导通电阻: 135 mOhms 
Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, + 25 V 
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V 
Qg-栅极电荷: 27 nC 
最小工作温度: - 55 C 
最大工作温度: + 150 C 
Pd-功率耗散: 2.5 W 
通道模式: Enhancement 
封装: Reel 
封装: Cut Tape 
封装: MouseReel 
商标: onsemi / Fairchild 
配置: Single 
下降时间: 60 ns 
正向跨导 - 最小值: 8.7 S 
高度: 2.39 mm 
长度: 6.73 mm 
产品类型: MOSFET 
上升时间: 100 ns 
系列: FQD17P06 
2500 
子类别: MOSFETs 
晶体管类型: 1 P-Channel 
类型: MOSFET 
典型关闭延迟时间: 22 ns 
典型接通延迟时间: 13 ns 
宽度: 6.22 mm 
单位重量: 330 mg