随着半导体技术快速的发展,5G时代的到来,各类现代化产品不断向着高压、大电流、高功率、高频率的方向发展;小体积,低能耗,高效率的产品外形需求也日益强烈. 作为 开关电源、PC电源、服务器电源、适配器、光伏逆变器、UPS、照明电源、OBC、充电桩等产品 不可缺少的部分,功率半导体器件的更小的体积,更高的效率的封装产品已经被大家一致渴求 。美浦森半导体应时代所需及时推出紧凑型表面贴片封装-DFN8*8外形, 一经推出便 引来诸多应用客户的热切关注 目前 大功率表面贴片外形主流集中在TO-252(DPAK) TO-263(D2-PAK) 、DFN5*6 等外形上,但是由于封装本身尺寸及封装能力限制,新一代高效,小体积 产品需求的表面贴片外形现有封装很难以满足, DFN8*8外形封装应运而生 。 下面我们来了解下DFN8*8 外形的特性。
一、 DFN8*8外形封装 特点:
■ 表贴封装
■ 封装高度仅有1mm
■ 爬电距离增加到2.75mm
■ 无引脚设计
■ 加大式的基岛
■ 优异的热性能,与TO - 263 ( D-2PAK )类似
■ 体积小,便捷贴合
二、封装尺寸对比:16px">DFN8*8与传统TO-252、TO-263封装尺寸相比,拥有更多的优点和特性:
1、TO-252封装尺寸为6.6*10*2.3(mm); TO-263封装尺寸为10.2*15.15*4.7(mm); DFN8*8封装尺寸为8*8*1.0(mm),粘贴方面拥有更小体积占比
2、TO-252、TO-263和DFN8*8占电路板面积分别为66mm2、154mm2 和64mm2。 DFN所占电路板面积比TO-263减小50%以上。
3、TO-252、TO-263和DFN8*8背部散热片面积分别约为23mm2、47mm2和34mm2。 DFN8*8背部散热片面积比TO-252增加50%左右。
4、TO-252、TO-263和DFN8*8高度分别为2.3mm、4.7mm和1mm,DFN8*8 高度均小于TO-252与TO-263。
三、对比传统插件封装:与传统的TO-220和TO-247,TO-3PN封装相比,贴片封装外形大大减少了封装尺寸大小,优化了体积和空间占比,DFN8*8更因为其无引脚设计,相对于TO-252和TO-263而言,寄生电感更低,主要的冷却路径是通过裸露的金属焊盘到PCB,提高封装的散热能力。 加大式的基岛设计,在封装上满足近似插件功率器件的要求;优异的导热性能,与TO263D-2PAK)类似 ,直接随PCB贴合散热;小体积设计,可以大大减少产品空间占用; Diode、MOSFET(Super Junction,iCMOSFET)同步封装上市满足更多行业需求优良的RDSON和VFSD直接应用更多高要求项目;
四、实用项目展示更快,更小,更高效一直是我们工程师设计追求的方向。在新时代的快节奏生活中,快速,高效,便捷的的应用体验从来都是备受青睐美浦森半导体成立于2014年,座落于号称中国改革创新前沿的深圳市南山区蛇口,是一家集研发、设计、生产、销售和服务为一体的完整型产业链公司,国家级高新技术企业。 主营POWER MOSFET(功率MOS)、Trench MOSFET(中低压MOS)、SUPER JUNCTION MOSFET(超结MOS)、SiC MOSFET(碳化硅MOS)、SiC DIODE(碳化硅二极管)等系列产品。 美浦森半导体新推出的DFN8*8外形的超结MOSFET自推出市场后,便大放异彩。下面展示一下美浦森产品(SLL65R170E7)在PD快充行业的应用实例。
■ 应用拓扑结构
■ 产品规格书(Datasheet)
■产品应用实拍
■结语
目前美浦森半导体SiCMOSFET,SJ-MOSFET使用DFN8*8封装外型的产品已同步上市;满足客户需求,解决客户难题,为客户提供更优质的服务体验,一直是每一个美浦森人执著的追求. 公司专注于设计、开发、测试和销售基于先进的 Planar VDMOS、Trench MOS、SJMOS,SiC SBD、SiC MOS等工艺结构的功率器件产品。以消费类电子、工业领域、新能源领域等为市场目标,致力成为世界一流的功率元器件公司。 公司有多位多年电源行业工作经验的FAE工程师、封装工程师以及多位业务能力强的销售人员。我们不仅致力于为客户提供高质量的半导体产品,更注重提供优质的售后服务。 为满足客户需求,公司从研发方案、设计画板、产品选择、产品测试到最后成品,公司可全部帮客户完成,解决客户的所有需求。 在这竞争日益激烈的市场,美浦森半导体坚持以创新、务实、高效、共赢为经营理念,为您提供最适合的半导体解决方案,是您最佳的策略合作伙伴。日新月异的市场里我们不断前行,您需要的我们应有尽有,更多更详细的产品信息欢迎咨询。
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