瞬变抑制二极管阵列SO-8封装，有哪些型号？

提及电路保护器件，对于新老硬件电子工程师而言，并不陌生。电路保护设计方案过程中，其中电路保护器件选型是最耐电子工程师寻味的过程。电路保护器件主要分为四类：雷击浪涌防护器件、过电压防护器件、过电流保护器件和静电防护器件。接下来要分享的是瞬变抑制二极管阵列SO-8封装产品常用型号：DW2.8-4LVUB-S、DW2.8-4LVU-S、DW2.8-8LVU-S、DW3.3-2PLC-S、DW3.3-4RDA-S、DW05-4RDA-S、DW06-2PLC-S、DW15-7MDA-S……

 

瞬变抑制二极管阵列

1）瞬变抑制二极管阵列DW2.8-4LVUB-S参数

工作电压：2.8V

最小击穿电压：3V

结电容：1.6pF

钳位电压：25V

峰值脉冲电流：22A

峰值脉冲功率：550W

漏电流：1uA

封装形式：SO-8

2）瞬变抑制二极管阵列DW3.3-2PLC-S参数

工作电压：3.3V

最小击穿电压：3.7V

结电容：5pF

钳位电压：20V

峰值脉冲电流：100A

峰值脉冲功率：1800W

漏电流：0.5uA

封装形式：SO-8

3）瞬变抑制二极管阵列DW15-7MDA-S参数

工作电压：15V

最小击穿电压：16V

结电容：20pF

钳位电压：45V

峰值脉冲电流：10A

峰值脉冲功率：450W

漏电流：0.5uA

封装形式：SO-8

 

瞬变抑制二极管阵列封装

 

由此可知，瞬变抑制二极管阵列参数有封装、工作电压、击穿电压、钳位电压、功率、电流、结电容等等，在瞬变抑制二极管阵列选型过程中，这些参数起到很重要的作用，最终型号的确认，则需要电子工程师根据EMC电磁兼容性测试结果来选择。那么，瞬变抑制二极管阵列选型技巧，有哪些呢？

 

1）瞬变抑制二极管阵列的工作电压要大于电路中的最高工作电压；

2）瞬变抑制二极管阵列的箝位电压要小于后级电路被保护芯片所能承受的最大峰值电压；

3）根据电路设计布局及被保护线路数选择合适的封装形式。一般而言，封装形式越大，防护等级越高；

4）在通信接口静电防护中，要尤其注意传输速率和信号的频率，避免瞬变抑制二极管阵列结电容过高干扰通信质量；当信号频率或传输速率较高时，应选用低电容瞬变抑制二极管阵列；

5）具体选型，建议在专业的技术指导下完成，选型、EMC测试、样品，一站式支持；

 

SO-8封装只是瞬变抑制二极管阵列封装形式的一种，想了解更多其他封装形式的ESD管，可直接咨询东沃电子！

SO-8封装瞬变抑制二极管型号