新品 | 沟槽栅 2000/3000A 4500V 125mm平板型压接式IGBT

新品

沟槽栅2000/3000A 4500V 

125mm平板型压接式IGBT

沟槽栅2000/3000A 4500V 125mm平板型压接式IGBT

 

相关器件：

 

 P2000DL45X168 2000A 4500V带续流二极管 125mm平板型

 P3000ZL45X168 3000A 4500V不带续流二极管 125mm平板型

 

Infineon Technologies Bipolar扩展了其高功率产品系列，4.5kV PPI IGBT使用英飞凌沟槽栅IGBT, 封装为直接压制式Press Pack，商品名Infineon Prime Switch。

 

这种新的、经过应用优化的压接式PPI IGBT提供了2000A（带内部续流二极管）和3000A（不带内部续流二极管）。它们旨在满足使用IGBT功率半导体的高功率系统的所有当前和未来要求。主要应用于HVDC和FACTS，直流断路器，中压电机驱动器，风电变流器和牵引。

 

产品特点

4.5kV沟槽栅IGBT芯片

长期稳定的故障时短路特性

密封封装

 

应用价值

坚固耐用，可抵御外部环境气体

防爆外壳

双面冷却

允许安装压力范围大

失效长期短路模式

最高的功率循环能力

 

应用领域

高压直流输电和FACTS

直流断路器

中压电机驱动

风电变流器

牵引